초록 ▼

본 발명은 임펠러의 제조방법과 관련되는 기술로서 보다 구체적으로는 일반적인 오픈 타입 임펠러와 다른 클로즈드(closed) 타입 임펠러의 제조에 대한 것이며, 블레이드부와 하우징부를 개별적으로 제작하도록 하는 마스터 제작단계와; 제작된 각 마스터를 이용하여 실리콘 간이금형을 제작토록 하는 실리콘 간이금형 제작단계와; 준비된 실리콘 간이금형에 액상 왁스를 주입하여 경화시킨 후 상기 실리콘 간이금형을 제거하여 블레이드부 왁스패턴과 하우징부 왁스패턴을 만들게 되는 왁스패턴 제작단계와; 블레이드부 왁스패턴과 하우징부 왁스패턴를 서로 접합시

본 발명은 임펠러의 제조방법과 관련되는 기술로서 보다 구체적으로는 일반적인 오픈 타입 임펠러와 다른 클로즈드(closed) 타입 임펠러의 제조에 대한 것이며, 블레이드부와 하우징부를 개별적으로 제작하도록 하는 마스터 제작단계와; 제작된 각 마스터를 이용하여 실리콘 간이금형을 제작토록 하는 실리콘 간이금형 제작단계와; 준비된 실리콘 간이금형에 액상 왁스를 주입하여 경화시킨 후 상기 실리콘 간이금형을 제거하여 블레이드부 왁스패턴과 하우징부 왁스패턴을 만들게 되는 왁스패턴 제작단계와; 블레이드부 왁스패턴과 하우징부 왁스패턴를 서로 접합시키도록 하는 클로즈드 왁스패턴 제작단계와; 클로즈드 왁스패턴 다수개를 트리(tree) 형상으로 붙이도록 하는 왁스트리 제작단계와; 상기 왁스트리를 형틀안에 위치시키고 진공상태에서 상기 형틀 내부로 액상의 석고를 주입하도록 하는 석고 주입단계와; 경화된 석고몰드에 열을 가하여 왁스트리를 녹여냄으로써 주조공간을 형성시키게 되는 주조공간 형성단계와; 석고몰드에 형성된 주조공간으로 액상의 주조재료를 주입하도록 하는 용탕주입단계와; 상기 용탕의 경화 후 고압의 물을 분사하여 석고몰드를 제거하도록 하는 고압수 분사단계와; 주조된 크로즈드 타입의 임펠러를 후처리하여 최종적인 완성품을 만들도록 하는 후처리 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 클로즈드 타입 임펠러의 제조방법에 대한 것이다.

대표청구항 ▼

블레이드 외측으로 하우징이 결합되는 클로즈드(Closed) 타입의 임펠러 제작방법으로서,블레이드부와 하우징부를 개별적으로 제작하도록 하는 마스터 제작단계와;제작된 각 마스터를 이용하여 실리콘 간이금형을 제작토록 하는 실리콘 간이금형 제작단계와;준비된 실리콘 간이금형에 액상 왁스를 주입하여 경화시킨 후 상기 실리콘 간이금형을 제거하여 블레이드부 왁스패턴과 하우징부 왁스패턴을 만들게 되는 왁스패턴 제작단계와;블레이드부 왁스패턴과 하우징부 왁스패턴를 서로 접합시키도록 하는 클로즈드 왁스패턴 제작단계와;클로즈드 왁스패턴 다수개를 트리(tr

블레이드 외측으로 하우징이 결합되는 클로즈드(Closed) 타입의 임펠러 제작방법으로서,블레이드부와 하우징부를 개별적으로 제작하도록 하는 마스터 제작단계와;제작된 각 마스터를 이용하여 실리콘 간이금형을 제작토록 하는 실리콘 간이금형 제작단계와;준비된 실리콘 간이금형에 액상 왁스를 주입하여 경화시킨 후 상기 실리콘 간이금형을 제거하여 블레이드부 왁스패턴과 하우징부 왁스패턴을 만들게 되는 왁스패턴 제작단계와;블레이드부 왁스패턴과 하우징부 왁스패턴를 서로 접합시키도록 하는 클로즈드 왁스패턴 제작단계와;클로즈드 왁스패턴 다수개를 트리(tree) 형상으로 붙이도록 하는 왁스트리 제작단계와;상기 왁스트리를 형틀안에 위치시키고 진공상태에서 상기 형틀 내부로 액상의 석고를 주입하도록 하는 석고 주입단계와;경화된 석고몰드에 열을 가하여 왁스트리를 녹여냄으로써 주조공간을 형성시키게 되는 주조공간 형성단계와;석고몰드에 형성된 주조공간으로 액상의 주조재료를 주입하도록 하는 용탕주입단계와;상기 용탕의 경화 후 고압의 물을 분사하여 석고몰드를 제거하도록 하는 고압수 분사단계와;주조된 클로즈드 타입의 임펠러를 후처리하여 최종적인 완성품을 만들도록 하는 후처리 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 클로즈드 타입 임펠러의 제조방법.