초록 ▼

적어도 기판상에 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극의 3단자, 절연체층 및 유기 반도체층이 설치되고, 소스-드레인 사이 전류를 게이트 전극에 전압을 인가함으로써 제어하는 유기 박막 트랜지스터에 있어서, 상기 유기 반도체층이 특정 구조의 화합물을 포함하는 유기 박막 트랜지스터, 및 유기 박막 트랜지스터에 있어서, 소스-드레인 사이를 흐르는 전류를 이용하여 발광을 얻고, 게이트 전극에 전압을 인가함으로써 발광을 제어하는 유기 박막 발광 트랜지스터이며, 응답 속도(구동 속도)가 고속이고, 게다가 온/오프비가 큰 유기 박막 트랜지스터

적어도 기판상에 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극의 3단자, 절연체층 및 유기 반도체층이 설치되고, 소스-드레인 사이 전류를 게이트 전극에 전압을 인가함으로써 제어하는 유기 박막 트랜지스터에 있어서, 상기 유기 반도체층이 특정 구조의 화합물을 포함하는 유기 박막 트랜지스터, 및 유기 박막 트랜지스터에 있어서, 소스-드레인 사이를 흐르는 전류를 이용하여 발광을 얻고, 게이트 전극에 전압을 인가함으로써 발광을 제어하는 유기 박막 발광 트랜지스터이며, 응답 속도(구동 속도)가 고속이고, 게다가 온/오프비가 큰 유기 박막 트랜지스터 및 그것을 이용한 유기 박막 발광 트랜지스터를 제공한다.

대표청구항 ▼

적어도 기판상에 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극의 3단자, 절연체층 및 유기 반도체층이 설치되고, 소스-드레인 사이 전류를 게이트 전극에 전압을 인가함으로써 제어하는 유기 박막 트랜지스터에 있어서, 상기 유기 반도체층이 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 박막 트랜지스터.[화학식 1][화학식 1 식 중, Ar1은 하기 화학식 2로 표시되고, Ar3은 하기 화학식 3으로 표시된다.][화학식 2][화학식 3](화학식 2 및 3 식 중, R1∼R10은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로젠 원자, 탄소수 1∼30의 알킬

적어도 기판상에 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극의 3단자, 절연체층 및 유기 반도체층이 설치되고, 소스-드레인 사이 전류를 게이트 전극에 전압을 인가함으로써 제어하는 유기 박막 트랜지스터에 있어서, 상기 유기 반도체층이 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 박막 트랜지스터.[화학식 1][화학식 1 식 중, Ar1은 하기 화학식 2로 표시되고, Ar3은 하기 화학식 3으로 표시된다.][화학식 2][화학식 3](화학식 2 및 3 식 중, R1∼R10은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로젠 원자, 탄소수 1∼30의 알킬기, 탄소수 1∼30의 할로 알킬기, 탄소수 1∼30의 알콕실기, 탄소수 1∼30의 할로알콕실기, 탄소수 1∼30의 알킬싸이오기, 탄소수 1∼30의 할로알킬싸이오기, 탄소수 1∼30의 알킬아미노기, 탄소수 2∼30의 다이알킬아미노기(알킬기는 서로 결합하여 질소 원자를 포함하는 환 구조를 형성할 수도 있다), 탄소수 1∼30의 알킬설폰일기, 탄소수 1∼30의 할로알킬설폰일기, 탄소수 6∼60의 방향족 탄화수소기, 탄소수 1∼60의 방향족 헤테로환기, 치환기를 가질 수도 있는 탄소수 1∼30의 알킬실릴기, 또는 사이아노기이며, 이들 각 기는 치환기를 가질 수도 있다. R1∼R5 및 R6∼R10은 인접하는 것끼리 포화 또는 불포화의 환상 구조를 형성할 수도 있다.) Ar2는 치환기를 가질 수도 있는 탄소수 6∼60의 방향족 탄화수소기, 치환기를 가질 수도 있는 탄소수 1∼60의 방향족 헤테로환기이다. n은 1∼20의 정수이다.]제 1 항에 있어서, 상기 화학식 1에 있어서, Ar2가 치환기를 가질 수도 있는 탄소수 6∼60의 방향족 탄화수소기인 유기 박막 트랜지스터. 제 1 항에 있어서,상기 화학식 1에 있어서, Ar2가 치환기를 가질 수도 있는 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 테트라센, 크라이센 또는 펜타센인 유기 박막 트랜지스터. 제 1 항에 있어서,상기 화학식 1에 있어서, Ar2가 치환기를 가질 수도 있는 탄소수 6∼60의 축합 다환식 방향족 헤테로환기인 유기 박막 트랜지스터. 제 1 항에 있어서,상기 화학식 1에 있어서, Ar2가 치환기를 가질 수도 있는 피롤, 피리딘, 피리미딘, 이미다졸, 싸이아졸, 다이싸이에노벤젠, 벤조싸이아다이아졸, 퀴놀린, 벤조싸이오펜, 다이벤조싸이오펜, 벤조퓨란 또는 다이벤조퓨란인 유기 박막 트랜지스터. 제 1 항에 있어서,상기 화학식 1에 있어서, n이 1인 유기 박막 트랜지스터. 제 1 항에 있어서,상기 화학식 1에 있어서, n이 2 이상의 정수인 유기 박막 트랜지스터. 제 1 항에 있어서,상기 화학식 2, 3에 있어서, R1, R2, R4, R5, R6, R7, R9 및 R10이 모두 수소 원자이고, R3 및 R8 중 적어도 한쪽이 할로젠 원자, 탄소수 1∼8의 알킬기, 탄소수 1∼8의 할로알킬기, 탄소수 1∼8의 할로알콕실기, 탄소수 1∼8의 알킬아미노기, 또는 탄소수 2∼16의 다이알킬아미노기(알킬기는 서로 결합하여 질소 원자를 포함하는 환 구조를 형성할 수도 있다)이며, 할로젠 원자, 알킬기, 할로알킬기, 할로알콕실기, 알킬아미노기, 또는 다이알킬아미노기가 아닌 경우에는 수소 원자인 유기 박막 트랜지스터. 제 1 항에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 하기 화학식 4로 표시되는 화합물인 유기 박막 트랜지스터. [화학식 4][화학식 4에 있어서, R1∼R14는 각각 상기 R1∼R10과 동일한 기를 나타내고, R1∼R5, R6∼R10, R11∼R12, R13∼R14는 인접하는 것끼리 포화 또는 불포화의 환상 구조를 형성할 수도 있다. 또한, n은 상기와 동일하다.]제 9 항에 있어서,상기 화학식 4에 있어서, R11∼R14가 각각 독립적으로 수소 원자, 할로젠 원자, 탄소수 1∼8의 알킬기, 탄소수 1∼8의 할로알킬기, 탄소수 1∼8의 알콕실기, 탄소수 1∼8의 알킬싸이오기, 탄소수 1∼8의 알킬아미노기, 탄소수 2∼8의 다이알킬아미노기(알킬기는 서로 결합하여 질소 원자를 포함하는 환 구조를 형성할 수도 있다), 탄소수 1∼8의 알킬설폰일기, 또는 사이아노기인 유기 박막 트랜지스터. 제 9 항에 있어서,상기 화학식 4에 있어서, R1, R2, R4, R5, R6, R7 및 R9∼R14가 모두 수소 원자이고, R3, R8 중 적어도 한쪽이 할로젠 원자, 탄소수 1∼8의 알킬기, 탄소수 1∼8의 할로알킬기, 탄소수 1∼8의 할로알콕실기, 탄소수 1∼8의 알킬아미노기, 또는 탄소수 2∼16의 다이알킬아미노기(알킬기는 서로 결합하여 질소 원자를 포함하는 환 구조를 형성할 수도 있다)이며, 할로젠 원자, 알킬기, 할로알킬기, 할로알콕실기, 알킬아미노기, 또는 다이알킬아미노기가 아닌 경우에는 수소 원자인 유기 박막 트랜지스터. 제 9 항에 있어서,상기 화학식 4에 있어서, R1∼R14 중 어느 하나가 불소 원자, 사이아노기, 트라이플루오로메틸기, 또는 펜타플루오로에틸기인 유기 박막 트랜지스터. 제 9 항에 있어서,상기 화학식 4에 있어서, n이 1인 유기 박막 트랜지스터. 제 9 항에 있어서,상기 화학식 4에 있어서, n이 2 이상의 정수인 유기 박막 트랜지스터. 제 1 항에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 하기 화학식 5로 표시되는 화합물인 유기 박막 트랜지스터. [화학식 5] [화학식 5에 있어서, R21∼R38은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로젠 원자, 탄소수 1∼30의 알킬기, 탄소수 1∼30의 할로알킬기, 탄소수 1∼30의 알콕실기, 탄소수 1∼30의 할로알콕실기, 탄소수 1∼30의 알킬싸이오기, 탄소수 1∼30의 할로알킬싸이오기, 탄소수 1∼30의 알킬아미노기, 탄소수 2∼30의 다이알킬아미노기(알킬기는 서로 결합하여 질소 원자를 포함하는 환 구조를 형성할 수도 있다), 탄소수 1∼30의 알킬설폰일기, 탄소수 1∼30의 할로알킬설폰일기, 탄소수 6∼60의 방향족 탄화수소기, 탄소수 1∼60의 방향족 헤테로환기, 치환기를 가질 수도 있는 탄소수 1∼30의 알킬실릴기, 또는 사이아노기이며, 이들 각 기는 치환기를 가질 수도 있다.R21∼R25 및 R26∼R30은 인접하는 것끼리 포화의 환상 구조를 형성할 수도 있다.]제 15 항에 있어서,상기 화학식 5에 있어서, R21∼R36은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1∼30의 알킬기, 탄소수 1∼30의 할로알킬기, 탄소수 1∼30의 알콕실기, 탄소수 1∼30의 할로알콕실기, 탄소수 1∼30의 알킬싸이오기, 탄소수 1∼30의 할로알킬싸이오기, 탄소수 1∼30의 알킬아미노기, 탄소수 2∼30의 다이알킬아미노기(알킬기는 서로 결합하여 질소 원자를 포함하는 환 구조를 형성할 수도 있다), 탄소수 1∼30의 알킬설폰일기, 탄소수 1∼30의 할로알킬설폰일기, 탄소수 6∼60의 방향족 탄화수소기, 탄소수 1∼60의 방향족 헤테로환기, 치환기를 가질 수도 있는 탄소수 1∼30의 알킬실릴기, 또는 사이아노기이고, 이들 각 기는 치환기를 가질 수도 있으며, 또한 R21∼R25 및 R26∼R30은 인접하는 것끼리 포화의 환상 구조를 형성할 수도 있는 유기 박막 트랜지스터.제 1 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,소스 및 드레인 전극과 유기 반도체층의 사이에 버퍼층을 갖는 유기 박막 트랜지스터. 청구항 1∼16 중 어느 한 항에 기재된 유기 박막 트랜지스터에 있어서, 소스-드레인 사이를 흐르는 전류를 이용하여 발광을 얻고, 게이트 전극에 전압을 인가함으로써 발광을 제어하는 유기 박막 발광 트랜지스터. 제 18 항에 있어서, 소스 및 드레인 중 적어도 한쪽이 일함수 4.2eV 이상의 물질로 이루어지고, 또한/또는 적어도 한쪽이 일함수 4.3eV 이하의 물질로 이루어지는 유기 박막 발광 트랜지스터. 제 18 항 또는 제 19 항에 있어서, 소스 및 드레인 전극과 유기 반도체층의 사이에 버퍼층을 갖는 유기 박막 발광 트랜지스터.