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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2009-7010011 (2009-05-15) |
공개번호 | 10-2009-0093954 (2009-09-02) |
등록번호 | 10-1085254-0000 (2011-11-14) |
국제출원번호 | PCT/JP2007/072982 (2007-11-28) |
국제공개번호 | WO2008066088 (2008-06-05) |
번역문제출일자 | 2009-05-15 |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020097010011 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2009-09-15) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 등록 |
재산화 처리를 실시할 때까지의 시간을 연장시키는 것이 가능한 붕소 확산원의 사용 방법과 그것을 이용한 반도체의 제조 방법을 제공한다.Al2O3 성분과 SiO2 성분과 BN 성분을 포함하는 복합 소결체로 이루어진 붕소 확산원을 산소 농도가 0.3~5 부피%인 비산화성 가스 분위기하에서 사용하는 방법이다. 또한, Al2O3 성분과 SiO2 성분과 BN 성분을 포함하고, Al2O3 성분과 SiO2 성분의 합계 함유율이 30~70 중량%, BN 성분의 함유율이 30~70 중량%이며, 또한 Al2O3/SiO2의 몰비가 1.0~2.4인 복합
알루미나(Al2O3) 성분과, 산화 규소(SiO2) 성분과, 질화 붕소(BN) 성분을 포함하는 복합 소결체로 이루어진 붕소 확산원을 산소 농도가 0.3~5 부피%인 비산화성 가스 분위기하에서 사용하는 것을 특징으로 하는 붕소 확산원의 사용 방법.
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