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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2010-0015281 (2010-02-19) |
공개번호 | 10-2011-0095677 (2011-08-25) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020100015281 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2010-02-19) |
심사진행상태 | 거절결정(일반) |
법적상태 | 거절 |
본 발명은 사파이어 단결정 잉곳의 제조 방법과, 사파이어 단결정 잉곳 성장 시 가스 흐름에 관련 된 메인 챔버에서 배출 라인부의 위치에 관한 내용이다.사파이어 단결정 잉곳 성장 시 아르곤 가스의 흐름은 상부 챔버를 통하여 들어와 하부 챔버로 이동 후 쉴드를 거쳐 배큠 라인부로 배출한다. 가스의 흐름은 상부 챔버를 거쳐 도가니 위에 위치하는 반사체 쉴드를 통하여 중앙으로 들어오도록 하여야 하고, 배출 라인부까지 흐름이 일정하게 유지되게 형성되어야 한다. 이러한 가스의 흐름을 제어하기 위하여 배출부인 배출 라인부의 위치를 조절하여 가
성장로 내부로 흐르는 아르곤 가스 모식도
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