초록 ▼

ArF 포토레지스트의 데미지(거칠기)를 억제하면서 실리콘을 함유하는 반사 방지막(Si-ARC)을 높은 에칭 레이트 및 충분한 선택비로 플라즈마 에칭할 수 있는 플라즈마 에칭 방법, 플라즈마 에칭 장치 및 컴퓨터 기억 매체를 제공한다. 기판에 형성된 ArF 포토레지스트(103)를 마스크로 하여, ArF 포토레지스트(103)의 하층에 위치하는 Si를 함유하는 반사 방지막(102)을 처리 가스의 플라즈마에 의해 에칭하는 플라즈마 에칭 방법으로서, 처리 가스로서 CF계 가스 및 CHF계 가스 중 적어도 어느 하나와 CF3I 가스와 산소 가

ArF 포토레지스트의 데미지(거칠기)를 억제하면서 실리콘을 함유하는 반사 방지막(Si-ARC)을 높은 에칭 레이트 및 충분한 선택비로 플라즈마 에칭할 수 있는 플라즈마 에칭 방법, 플라즈마 에칭 장치 및 컴퓨터 기억 매체를 제공한다. 기판에 형성된 ArF 포토레지스트(103)를 마스크로 하여, ArF 포토레지스트(103)의 하층에 위치하는 Si를 함유하는 반사 방지막(102)을 처리 가스의 플라즈마에 의해 에칭하는 플라즈마 에칭 방법으로서, 처리 가스로서 CF계 가스 및 CHF계 가스 중 적어도 어느 하나와 CF3I 가스와 산소 가스를 포함한 혼합 가스를 사용하고, 또한 상부 전극에 직류 전압을 인가한다.

대표청구항 ▼

처리 챔버 내에 배치되고 기판이 재치되는 하부 전극과, 상기 처리 챔버 내에 상기 하부 전극과 대향하도록 배치된 상부 전극과, 상기 처리 챔버 내로 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 기구와, 상기 하부 전극과 상기 상부 전극 사이에 고주파 전력을 인가하는 고주파 전원을 구비한 플라즈마 에칭 장치를 이용하고,상기 기판에 형성된 ArF 포토레지스트를 마스크로 하여, 상기 ArF 포토레지스트의 하층에 위치하는 Si를 함유하는 반사 방지막을, 상기 처리 가스의 플라즈마에 의해 에칭하는 플라즈마 에칭 방법으로서, 상기 처리 가스로서, C

처리 챔버 내에 배치되고 기판이 재치되는 하부 전극과, 상기 처리 챔버 내에 상기 하부 전극과 대향하도록 배치된 상부 전극과, 상기 처리 챔버 내로 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 기구와, 상기 하부 전극과 상기 상부 전극 사이에 고주파 전력을 인가하는 고주파 전원을 구비한 플라즈마 에칭 장치를 이용하고,상기 기판에 형성된 ArF 포토레지스트를 마스크로 하여, 상기 ArF 포토레지스트의 하층에 위치하는 Si를 함유하는 반사 방지막을, 상기 처리 가스의 플라즈마에 의해 에칭하는 플라즈마 에칭 방법으로서, 상기 처리 가스로서, CF계 가스 및 CHF계 가스 중 적어도 어느 하나와 CF3I 가스와 산소 가스를 포함하는 혼합 가스를 사용하고, 상기 상부 전극에 직류 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭 방법.