초록

본 발명은 에폭시 수지 조성물 및 이로써 피복된 발광 반도체 소자에 관한 것으로, (a) 지환식 에폭시 수지, (b) 나노 크기의 실리카 입자, (c) 산무수물 경화제 및 (d) 4급 포스포늄염 경화촉매를 포함하는 본 발명의 수지 조성물은 투명하고, 표면점착성이 없으며, 접착성, 내열성 및 내습내구성이 우수하여, 백색 LED 구현이 가능한 UV 발광다이오드(LED)와 같은 발광 반도체 소자의 피복 보호재로 유용하게 사용될 수 있다.

대표청구항

(a) 하기 화학식 1의 구조를 갖는 지환식 에폭시 수지,(b) 나노 크기의 실리카 입자,(c) 산무수물 경화제, 및 (d) 4급 포스포늄염 경화촉매를 포함하되,상기 성분 (a) 내지 (d)를 각각 수지 조성물 총 중량에 대하여 20 내지 70 중량%, 20 내지 50 중량%, 5 내지 50 중량% 및 0.01 내지 5 중량%의 양으로 포함하고, 상기 성분 (a)와 (b)를 3 : 7 내지 7 : 3 범위의 중량비로 포함하는,에폭시 수지 조성물:[화학식 1] 상기 식에서, n은 1 내지 8의 정수이다.

(a) 하기 화학식 1의 구조를 갖는 지환식 에폭시 수지,(b) 나노 크기의 실리카 입자,(c) 산무수물 경화제, 및 (d) 4급 포스포늄염 경화촉매를 포함하되,상기 성분 (a) 내지 (d)를 각각 수지 조성물 총 중량에 대하여 20 내지 70 중량%, 20 내지 50 중량%, 5 내지 50 중량% 및 0.01 내지 5 중량%의 양으로 포함하고, 상기 성분 (a)와 (b)를 3 : 7 내지 7 : 3 범위의 중량비로 포함하는,에폭시 수지 조성물:[화학식 1] 상기 식에서, n은 1 내지 8의 정수이다.