초록 ▼

본 발명은 반도체패키지 다이싱블레이드의 제조방법 및 그 방법으로 제조된 반도체패키지 다이싱블레이드에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 상하 2단으로 분리 구성된 금속금형 내에 블레이드분말을 충진한 금혈조립체의 상단과 하단을 종래의 카본금형 가열 온도보다 비교적 저온인 400℃ ~ 600℃의 발열체를 구비한 상,하열판프레스에 의해 400kg/cm2 ~ 2,000kg/cm2의 고압을 가하면서 30 ~ 50분간 간접적으로 가열하여 블레이드분말을 소결하여 제조하는 간접가열에 의한 저온?고압 소결방식의 반도체패키지 다이싱블레이드의 제조방법 및

본 발명은 반도체패키지 다이싱블레이드의 제조방법 및 그 방법으로 제조된 반도체패키지 다이싱블레이드에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 상하 2단으로 분리 구성된 금속금형 내에 블레이드분말을 충진한 금혈조립체의 상단과 하단을 종래의 카본금형 가열 온도보다 비교적 저온인 400℃ ~ 600℃의 발열체를 구비한 상,하열판프레스에 의해 400kg/cm2 ~ 2,000kg/cm2의 고압을 가하면서 30 ~ 50분간 간접적으로 가열하여 블레이드분말을 소결하여 제조하는 간접가열에 의한 저온?고압 소결방식의 반도체패키지 다이싱블레이드의 제조방법 및 그 방법으로 제조된 반도체패키지 다이싱블레이드에 관한 것이다. 본 발명의 간접가열에 의한 저온?고압 소결방식의 반도체패키지 다이싱블레이드의 제조방법은, 중공의 원통체로 형성되되, 동일한 높이와 두께를 갖는 상,하부외경코어(11,11')와, 동일한 높이와 두께를 갖는 상,하부내경코어(12,12')와, 서로 높이는 다르나 동일한 두께를 갖는 상,하부압축링(13,13')으로 형성되는 상,하부압축링(13,13')으로 각각 2단으로 분리 구성되는 금속금형(10)을 성형하는 금속금형성형단계(S10); 상기 하부외경코어(11')의 내부 중앙부에 상기 하부압축링(13')을 위치시키고 상기 하부압축링(13')의 내부 중앙부에 상기 하부내경코어(12')를 위치시켜 하부금형체(LG)를 조립하는 하부금형체조립단계(S20); 다이아몬드분말과 금속분말과 첨가제를 혼합하여 블레이드분말(p)을 조성하는 블레이드분말조성단계(S30); 상기 조립된 하부금형체(LG)의 상기 하부압축링(13')의 상부에 블레이드분말을 충진 하는 블레이드분말충진단계(S40); 상기 하부금형체(LG)의 상기 하부압축링(13') 상부에 충진된 블레이드분말 상부에 상기 상부압축링(13)을 결합하고 상기 상부외경코어(11)와 상기 상부내경코어(12)를 결합하여 금형조립체(G)를 조립하는 상부금형체결합단계(S50); 상기 블레이드분말이 충진 된 금형조립체(G)의 상단과 하단을 발열체(14)를 구비한 상,하열판프레스(15,15')에 의해 간접적으로 가열가압 하는 가열가압단계(S60); 소결된 블레이드를 분리하기 위해 금형을 탈형하는 탈형단계(S70);로 이루어지며, 상기 상,하부외경코어(11,11')의 내경은 상기 상,하부압축링(13,13')의 외경에 대응되고, 상기 상,하부압축링(13,13')의 내경은 상기 상,하부내경코어(12,12')의 외경과 대응되게 성형되고, 상기 하부압축링(13')의 높이는 상기 상부압축링(13)의 높이보다 낮게 형성하고, 상기 상부압축링(13)은 높이가 서로 다르게 다수개를 형성하되 상,하부압축링(13,13')을 포갠 두께는 상기 상,하부외경코어(11,11')나 상기 상,하부내경코어(12,12')를 포갠 두께보다 작게 형성하여 상,하부압축링(13)(13') 사이에는 간극(g)을 형성하고, 상기 블레이드분말조성단계(S30)의 블레이드분말(p)은, 다이아몬드분말 : 구리분말 : 주석분말 : 첨가제(filler)의 중량비가 5~25중량% : 55~75중량% : 10~30중량% : 1~10중량%로 조성되되 상기 다이아몬드분말 입자는 1~120㎛ 크기이고, 상기 가열가압단계(S60)는, 블레이드분말(p)이 충진 된 상기 금형조립체(G)의 상단과 하단을 카본금형 가열시의 온도보다 비교적 저온인 400℃ ~ 600℃의 발열체(14)를 구비한 상,하열판프레스(15,15')에 의해 400kg/㎠ ~ 2,000kg/㎠ 의 고압을 가하면서 30 ~ 50분간 간접적으로 가열하여 블레이드분말(p)을 소결함으로써 반도체패키지 다이싱블레이드를 제조하는 간접가열에 의한 저온 고압 소결방식의 반도체패키지 다이싱블레이드 제조방법에 의해 달성될 수 있다.상기와 같은 본 발명의 간접가열에 의한 저온?고압 소결방식의 반도체패키지 다이싱블레이드 제조방법에 의하면, 금형을 2단구조의 금속금형으로 구성함으로써, 조립된 금형체에 고르게 가열가압이 가능하여 균일한 블레이드를 소결할 수 있고, 금형에 블레이드분말을 균일하게 충진하는 것이 용이하여 균일한 두께의 블레이드 소결이 가능하고, 소결 후 금형과 블레이드의 이형이 용이하여 소결된 블레이드 및 금형의 표면에 스크래치를 남기지 않아 금형의 수명을 연장할 수 있으며, 또한 금속금형의 상,하단을 발열체를 구비한 상,하열판프레스에 의해 간접가열하는 방식으로 저온?고압 상태에서 블레이드를 소결하므로 소결된 블레이드의 표면이 매끄럽고 광택이 있어 소결 후 직접 제품화가 가능할 뿐더러 소결된 블레이드의 금속메트릭스 위로 다이아몬드 입자가 돌출되지 않아 패키지 내의 구리금속 패턴의 절단시 금속의 늘어지는 현상인 버(burr)나 스미어(smear) 발생에 의한 회로의 쇼트를 방지할 수 있는 고품질의 반도체패키지 다이싱블레이드를 제조할 수 있다.

대표청구항 ▼

중공의 원통체로 형성되되, 동일한 높이와 두께를 갖는 상,하부외경코어(11,11')와, 동일한 높이와 두께를 갖는 상,하부내경코어(12,12')와, 서로 높이는 다르나 동일한 두께를 갖는 상,하부압축링(13,13')으로 형성되는 상,하부압축링(13,13')으로 각각 2단으로 분리 구성되는 금속금형(10)을 성형하는 금속금형성형단계(S10); 상기 하부외경코어(11')의 내부 중앙부에 상기 하부압축링(13')을 위치시키고 상기 하부압축링(13')의 내부 중앙부에 상기 하부내경코어(12')를 위치시켜 하부금형체(LG)를 조립하는 하부금

중공의 원통체로 형성되되, 동일한 높이와 두께를 갖는 상,하부외경코어(11,11')와, 동일한 높이와 두께를 갖는 상,하부내경코어(12,12')와, 서로 높이는 다르나 동일한 두께를 갖는 상,하부압축링(13,13')으로 형성되는 상,하부압축링(13,13')으로 각각 2단으로 분리 구성되는 금속금형(10)을 성형하는 금속금형성형단계(S10); 상기 하부외경코어(11')의 내부 중앙부에 상기 하부압축링(13')을 위치시키고 상기 하부압축링(13')의 내부 중앙부에 상기 하부내경코어(12')를 위치시켜 하부금형체(LG)를 조립하는 하부금형체조립단계(S20); 다이아몬드분말과 금속분말과 첨가제를 혼합하여 블레이드분말(p)을 조성하는 블레이드분말조성단계(S30); 상기 조립된 하부금형체(LG)의 상기 하부압축링(13')의 상부에 블레이드분말을 충진 하는 블레이드분말충진단계(S40); 상기 하부금형체(LG)의 상기 하부압축링(13') 상부에 충진된 블레이드분말 상부에 상기 상부압축링(13)을 결합하고 상기 상부외경코어(11)와 상기 상부내경코어(12)를 결합하여 금형조립체(G)를 조립하는 상부금형체결합단계(S50); 상기 블레이드분말이 충진 된 금형조립체(G)의 상단과 하단을 발열체(14)를 구비한 상,하열판프레스(15,15')에 의해 간접적으로 가열가압 하는 가열가압단계(S60); 소결된 블레이드를 분리하기 위해 금형을 탈형하는 탈형단계(S70);로 이루어지며, 상기 상,하부외경코어(11,11')의 내경은 상기 상,하부압축링(13,13')의 외경에 대응되고, 상기 상,하부압축링(13,13')의 내경은 상기 상,하부내경코어(12,12')의 외경과 대응되게 성형되고, 상기 하부압축링(13')의 높이는 상기 상부압축링(13)의 높이보다 낮게 형성하고, 상기 상부압축링(13)은 높이가 서로 다르게 다수개를 형성하되 상,하부압축링(13,13')을 포갠 두께는 상기 상,하부외경코어(11,11')나 상기 상,하부내경코어(12,12')를 포갠 두께보다 작게 형성하여 상,하부압축링(13)(13') 사이에는 간극(g)을 형성하고, 상기 블레이드분말조성단계(S30)의 블레이드분말(p)은, 다이아몬드분말 : 구리분말 : 주석분말 : 첨가제(filler)의 중량비가 5~25중량% : 55~75중량% : 10~30중량% : 1~10중량%로 조성되되 상기 다이아몬드분말 입자는 1~120㎛ 크기이고, 상기 가열가압단계(S60)는, 블레이드분말(p)이 충진 된 상기 금형조립체(G)의 상단과 하단을 카본금형 가열시의 온도보다 비교적 저온인 400℃ ~ 600℃의 발열체(14)를 구비한 상,하열판프레스(15,15')에 의해 400kg/㎠ ~ 2,000kg/㎠ 의 고압을 가하면서 30 ~ 50분간 간접적으로 가열하여 블레이드분말(p)을 소결함으로써 반도체패키지 다이싱블레이드를 제조하는 간접가열에 의한 저온 고압 소결방식의 반도체패키지 다이싱블레이드 제조방법