초록

본 발명은 기판; 및 상기 기판상에 결정화된 2개의 층을 포함하는 아몰퍼스 실리콘 층(amorphous silicon layer)에 관한 것으로써, 본 발명은 기존의 RTA 공정 대비 결정화 온도를 감소시킬 수 있으며, 기존의 VIC 공정과 비교시 금속 오염을 감소시킬 수 있는 고유의 결정화 공정을 개발하였다. 이와 같은 기술은 폴리실리콘 TFT의 누설전류를 감소시킬 수 있기 때문에 AMOLED 제품의 상업화에 있어서 중요한 요소가 될 것이다.

대표청구항 ▼

(i) 기판 및 상기 기판상에 결정화된 2개의 층으로 구성되고; (ii) 상기 결정화된 2개의 층 중 어느 하나의 층은 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 금(Au), 납(Pd) 및 코발트(Co)로 이루어진 군으로 부터 선택된 어느 하나인 금속원소를 이용하여 결정화된 층이고, 다른 하나의 층은 실리사이드상(silicide phase)에 의해 결정화된 층이고; (iii) 상기 금속원소를 이용하여 결정화된 층이 상기 실리사이드상에 의해 결정화된 층보다 금속농도가 높은 것; 을 특징으로 하는 아몰퍼스 실리콘 층(amorphou

(i) 기판 및 상기 기판상에 결정화된 2개의 층으로 구성되고; (ii) 상기 결정화된 2개의 층 중 어느 하나의 층은 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 금(Au), 납(Pd) 및 코발트(Co)로 이루어진 군으로 부터 선택된 어느 하나인 금속원소를 이용하여 결정화된 층이고, 다른 하나의 층은 실리사이드상(silicide phase)에 의해 결정화된 층이고; (iii) 상기 금속원소를 이용하여 결정화된 층이 상기 실리사이드상에 의해 결정화된 층보다 금속농도가 높은 것; 을 특징으로 하는 아몰퍼스 실리콘 층(amorphous silicon layer).