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열응력을 고려한 다층 세라믹 커패시터의 설계 및 해석 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC9판)
  • H01G-004/33
  • H01G-004/30
  • H01G-004/12
출원번호 10-2010-0061869 (2010-06-29)
공개번호 10-2011-0001953 (2011-01-06)
등록번호 10-1070246-0000 (2011-09-28)
DOI http://doi.org/10.8080/1020100061869
발명자 / 주소
  • 신기현 / 경기도 성남시 분당구 수내동 ** 푸른마을 ***동 ***호
  • 김창완 / 경기도 용인시 수지구 풍덕천동 삼성*차 ***동 ***호
  • 이은규 / 경기도 여주군 능서면 광대리 ***-*
출원인 / 주소
  • 건국대학교 산학협력단 / 서울 광진구 화양동 * 건국대학교내
대리인 / 주소
  • 조현석
심사청구여부 있음 (2010-06-29)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 소멸

초록

본 발명은 열응력을 고려한 다층 세라믹 커패시터의 설계 및 해석방법에 관한 것으로, 다층 세라믹 커패시터의 모델을 생성하고 생성된 다층 세라믹 커패시터 모델에 공정 조건을 설정한 후 유한요소 수치해석을 통하여 분석하고, 분석한 결과를 토대로 설계 및 공정에서 고려되어야 할 적용 변수의 조건을 최적화하여 적용함으로써, 결함과 불량의 발생을 억제하고 나아가 효율이 극대화된 최적의 부품 설계 및 제조공정 개발의 근간을 이룰 수 있다.본 발명에 의한 다층 세라믹 커패시터의 설계 및 해석 방법은, (a) 각 층의 두께를 가지는 입체 요소를

대표청구항

서로 다른 열팽창 계수를 가지는 유전체 세라믹층과 내부 전극층이 적층된 다층 세라믹 캐패시터가 고온의 소결 공정에 의한 받는 영향을 분석하는 열응력을 고려한 다층 세라믹 커패시터의 설계 및 해석 방법에 있어서,(a) 각 층의 두께를 가지는 입체 요소를 생성한 후 반복 적층하여 상기 다층 세라믹 커패시터의 모델을 생성하는 단계;(b) 상기 다층 세라믹 커패시터의 모델을 각각 절점과 구성요소로 나누고, 상기 각각의 절점과 구성요소로 나누어진 각 면 사이에 유한요소 수치해석을 위한 공정 조건을 각각 설정하는 단계;(c-1) 최고점의 소결

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (2)

  1. [한국] 3차원 용접 열분포 해석방법 | 방한서
  2. [한국] 고주파 전자부품 및 그 설계방법 | 하야시가츠히코

이 특허를 인용한 특허 (2)

  1. [한국] 상용차용 디스크 브레이크 제동시 열적거동 및 응력해석 방법 | 이영춘, 전남진, 조명재, 최창원, 손영호
  2. [한국] 반도체 다이 본딩 장치 | 박주성, 오동욱
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