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| 국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
|---|---|
| 국제특허분류(IPC9판) |
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| 출원번호 | 10-2010-0082817 (2010-08-26) |
| 공개번호 | 10-2012-0019559 (2012-03-07) |
| 등록번호 | 10-1148709-0000 (2012-05-10) |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020100082817 |
| 발명자 / 주소 |
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| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사청구여부 | 있음 (2010-08-26) |
| 심사진행상태 | 등록결정(일반) |
| 법적상태 | 소멸 |
실시예는 CMOS 이미지센서에 관한 것이다. 실시예에 따른 CMOS 이미지센서는 기판 내에 형성된 픽셀영역; 상기 픽셀영역 일측의 기판 내에 형성된 콘택 영역; 상기 픽셀영역 내의 상기 기판에 형성된 제1 농도의 제1 도전형 영역; 및 상기 픽셀영역 내의 상기 기판에 형성되며, 상기 제1 농도 보다 높은 제2 농도의 제1 도전형 영역;을 포함한다.
기판 내에 형성된 픽셀영역;상기 픽셀영역 일측의 기판 내에 형성된 콘택 영역;상기 픽셀영역과 상기 콘택 영역 사이에 형성된 트랜스퍼 트랜지스터;상기 픽셀영역 내의 상기 기판에 형성된 제1 농도의 제1 도전형 영역; 및상기 픽셀영역 내의 상기 기판에 형성되며, 상기 제1 농도 보다 높은 제2 농도의 제1 도전형 영역을 포함하며, 상기 제2 농도의 제1 도전형 영역은 상기 제1 농도의 제 1 도전형 영역과 연결되며 상기 트랜스퍼 트랜지스터에 수직한 복수개의 제 1' 영역들, 및 상기 복수의 제 1' 영역들을 연결해주는 제 1'' 영역을
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