유기용매나 수지 등의 비수용성 매체에 고농도로 첨가할 수 있고, 또한 비수용성 매체에의 첨가 후의 계에 탁함이나 백화 등을 일으키게 하지 않거나 혹은 첨가 후의 계가 겔화하지 않는 코어 쉘 실리카 입자 및 중공 실리카 입자의 제공, 또한 해당 코어 쉘 실리카 입자 및 해당 중공 실리카 입자의 제조방법을 제공하기 위해, (A)성분으로서 SiO2의 조성식으로 나타나는 실리카,(B)성분으로서 일반식(2)의 조성식, 또는일반식(1) 및일반식(2)의 조성식으로 나타나는 변성 실리카, 및 (C)성분으로서 일반식(3)의 조성식으로 나타나는 변성
유기용매나 수지 등의 비수용성 매체에 고농도로 첨가할 수 있고, 또한 비수용성 매체에의 첨가 후의 계에 탁함이나 백화 등을 일으키게 하지 않거나 혹은 첨가 후의 계가 겔화하지 않는 코어 쉘 실리카 입자 및 중공 실리카 입자의 제공, 또한 해당 코어 쉘 실리카 입자 및 해당 중공 실리카 입자의 제조방법을 제공하기 위해, (A)성분으로서 SiO2의 조성식으로 나타나는 실리카,(B)성분으로서 일반식(2)의 조성식, 또는일반식(1) 및일반식(2)의 조성식으로 나타나는 변성 실리카, 및 (C)성분으로서 일반식(3)의 조성식으로 나타나는 변성 실리카를 함유하는 쉘층과, 유화 중합에 의해서 얻어지는 수지로 이루어지는 코어를 구비하는 것을 특징으로 하는 코어 쉘 실리카 입자. RSiO3/2 (1)(식 중, R은 아미노기, 멜캅토기, (메타)아크릴기 및 에폭시기에서 선택되는 어느 하나의 기로 치환되어도 좋은 총 탄소수 1∼24의 탄화 수소기, 또는 탄소수 1∼24의 할로겐화 알킬기를 나타낸다.) R′2SiO (2)(식 중, R′는 아미노기, 멜캅토기, (메타)아크릴기 및 에폭시기에서 선택되는 어느 하나의 기로 치환되어도 좋은 총 탄소수 1∼24의 탄화 수소기, 또는 탄소수 1∼24의 할로겐화 알킬기를 나타낸다.) R″3SiO1/2 (3) (식 중, R″는 아미노기, 멜캅토기, (메타)아크릴기 및 에폭시기에서 선택되는어느 하나의 기로 치환되어도 좋은 총 탄소수 1∼24의 탄화 수소기, 또는 탄소수 1∼24의 할로겐화 알킬기를 나타낸다.)
대표청구항▼
(A)성분으로서 SiO2의 조성식으로 나타나는 실리카, (B)성분으로서 일반식(2)의 조성식, 또는일반식(1) 및상기 일반식(2)의 조성식으로 나타나는 변성 실리카, 및 (C)성분으로서 일반식(3)의 조성식으로 나타나는 변성 실리카를 함유하는 쉘층과, 유화 중합에 의해서 얻어지는 수지로 이루어지는 코어를 구비하는 것을 특징으로 하는 코어 쉘 실리카 입자.RSiO3/2(1)(식 중, R은 아미노기, 멜캅토기, (메타)아크릴기 및 에폭시기에서 선택되는 어느 하나의 기로 치환되어도 좋은 총 탄소수 1∼24의 탄화 수소기, 또는 탄소수 1
(A)성분으로서 SiO2의 조성식으로 나타나는 실리카, (B)성분으로서 일반식(2)의 조성식, 또는일반식(1) 및상기 일반식(2)의 조성식으로 나타나는 변성 실리카, 및 (C)성분으로서 일반식(3)의 조성식으로 나타나는 변성 실리카를 함유하는 쉘층과, 유화 중합에 의해서 얻어지는 수지로 이루어지는 코어를 구비하는 것을 특징으로 하는 코어 쉘 실리카 입자.RSiO3/2(1)(식 중, R은 아미노기, 멜캅토기, (메타)아크릴기 및 에폭시기에서 선택되는 어느 하나의 기로 치환되어도 좋은 총 탄소수 1∼24의 탄화 수소기, 또는 탄소수 1∼24의 할로겐화 알킬기를 나타낸다.)R′2SiO(2)(식 중, R′는 아미노기, 멜캅토기, (메타)아크릴기 및 에폭시기에서 선택되는 어느 하나의 기로 치환되어도 좋은 총 탄소수 1∼24의 탄화 수소기, 또는 탄소수 1∼24의 할로겐화 알킬기를 나타낸다.)R″3SiO1/2 (3)(식 중, R″는 아미노기, 멜캅토기, (메타)아크릴기 및 에폭시기에서 선택되는 어느 하나의 기로 치환되어도 좋은 총 탄소수 1∼24의 탄화 수소기, 또는 탄소수 1∼24의 할로겐화 알킬기를 나타낸다.)
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