IPC분류정보
국가/구분 |
한국(KR)/등록특허
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 |
10-2010-0114359
(2010-11-17)
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공개번호 |
10-2012-0053203
(2012-05-25)
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등록번호 |
10-1777865-0000
(2017-09-06)
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DOI |
http://doi.org/10.8080/1020100114359
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발명자
/ 주소 |
- 이상용
/ 서울특별시 노원구 한글비석로**길 **, ***동 ***호 (중계동, 중앙하이츠아파트)
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출원인 / 주소 |
- 엘지디스플레이 주식회사 / 서울특별시 영등포구 여의대로 ***(여의도동)
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 |
있음 (2015-11-11) |
심사진행상태 |
등록결정(일반) |
법적상태 |
소멸 |
초록
▼
본 발명은 슈미트 트리거 회로에 관한 것으로, 출력 전압이 공급되는 게이트전극, 제1 노드에 접속된 소스전극, 및 제1 인버터의 출력단과 제2 인버터의 입력단에 접속된 드레인전극을 포함하는 제1 p 타입 트랜지스터; 제1 바이어스전압이 공급되는 게이트전극, 전원전압이 공급되는 소스전극, 및 상기 제1 노드에 접속된 드레인전극을 포함하는 제2 p 타입 트랜지스터; 입력 전압이 공급되는 게이트전극, 상기 전원전압이 공급되는 소스전극, 및 상기 제1 노드에 접속된 드레인전극을 포함하는 제3 p 타입 트랜지스터; 상기 출력 전압이 공급되는
본 발명은 슈미트 트리거 회로에 관한 것으로, 출력 전압이 공급되는 게이트전극, 제1 노드에 접속된 소스전극, 및 제1 인버터의 출력단과 제2 인버터의 입력단에 접속된 드레인전극을 포함하는 제1 p 타입 트랜지스터; 제1 바이어스전압이 공급되는 게이트전극, 전원전압이 공급되는 소스전극, 및 상기 제1 노드에 접속된 드레인전극을 포함하는 제2 p 타입 트랜지스터; 입력 전압이 공급되는 게이트전극, 상기 전원전압이 공급되는 소스전극, 및 상기 제1 노드에 접속된 드레인전극을 포함하는 제3 p 타입 트랜지스터; 상기 출력 전압이 공급되는 게이트전극, 제2 노드에 접속된 소스전극, 및 상기 제1 인버터의 출력단과 상기 제2 인버터의 입력단에 접속된 드레인전극을 포함하는 제1 n 타입 트랜지스터; 제2 바이어스전압이 공급되는 게이트전극, 기저전압이 공급되는 소스전극, 및 상기 제2 노드에 접속된 드레인전극을 포함하는 제2 n 타입 트랜지스터; 및 상기 입력 전압이 공급되는 게이트전극, 상기 기저전압이 공급되는 소스전극, 및 상기 제2 노드에 접속된 드레인전극을 포함하는 제3 n 타입 트랜지스터를 포함한다.
대표청구항
▼
입력 전압을 반전하는 제1 인버터; 상기 제1 인버터의 출력을 반전하여 출력 전압을 발생하는 제2 인버터; 상기 출력 전압이 공급되는 게이트전극, 제1 노드에 접속된 소스전극, 및 상기 제1 인버터의 출력단과 상기 제2 인버터의 입력단에 접속된 드레인전극을 포함하는 제1 p 타입 트랜지스터;제1 바이어스전압이 공급되는 게이트전극, 전원전압이 공급되는 소스전극, 및 상기 제1 노드에 접속된 드레인전극을 포함하는 제2 p 타입 트랜지스터;상기 입력 전압이 공급되는 게이트전극, 상기 전원전압이 공급되는 소스전극, 및 상기 제1 노드에 접
입력 전압을 반전하는 제1 인버터; 상기 제1 인버터의 출력을 반전하여 출력 전압을 발생하는 제2 인버터; 상기 출력 전압이 공급되는 게이트전극, 제1 노드에 접속된 소스전극, 및 상기 제1 인버터의 출력단과 상기 제2 인버터의 입력단에 접속된 드레인전극을 포함하는 제1 p 타입 트랜지스터;제1 바이어스전압이 공급되는 게이트전극, 전원전압이 공급되는 소스전극, 및 상기 제1 노드에 접속된 드레인전극을 포함하는 제2 p 타입 트랜지스터;상기 입력 전압이 공급되는 게이트전극, 상기 전원전압이 공급되는 소스전극, 및 상기 제1 노드에 접속된 드레인전극을 포함하는 제3 p 타입 트랜지스터;상기 출력 전압이 공급되는 게이트전극, 제2 노드에 접속된 소스전극, 및 상기 제1 인버터의 출력단과 상기 제2 인버터의 입력단에 접속된 드레인전극을 포함하는 제1 n 타입 트랜지스터;제2 바이어스전압이 공급되는 게이트전극, 기저전압이 공급되는 소스전극, 및 상기 제2 노드에 접속된 드레인전극을 포함하는 제2 n 타입 트랜지스터; 및 상기 입력 전압이 공급되는 게이트전극, 상기 기저전압이 공급되는 소스전극, 및 상기 제2 노드에 접속된 드레인전극을 포함하는 제3 n 타입 트랜지스터를 포함하고,상기 제3 p 타입 트랜지스터의 소스전극 및 드레인전극이 상기 제2 p 타입 트랜지스터의 소스전극 및 드레인전극에 병렬로 연결되고, 상기 제3 n 타입 트랜지스터의 소스전극 및 드레인전극이 상기 제2 n 타입 트랜지스터의 소스전극 및 드레인전극에 병렬로 연결되며, 상기 입력 전압이 로우 논리전압일 때 상기 제3 p 타입 트랜지스터가 턴-온되어 상기 제3 p 타입 트랜지스터의 저항이 상기 제1 인버터의 저항들에 병렬로 더해지고, 상기 입력 전압이 하이 논리전압일 때 상기 제3 n 타입 트랜지스터가 턴-온되어 상기 제3 n 타입 트랜지스터의 저항이 상기 제1 인버터의 저항들에 병렬로 더해지는 것을 특징으로 하는 슈미트 트리거 회로.
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