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중공 실리카 입자의 제조 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC9판)
  • C01B-033/18
  • C01B-033/159
출원번호 10-2010-0117811 (2010-11-25)
공개번호 10-2012-0056337 (2012-06-04)
DOI http://doi.org/10.8080/1020100117811
발명자 / 주소
  • 임거산 / 서울특별시 구로구 구로중앙로 ***, 신구로자이 ****호 (구로동)
  • 정유연 / 서울특별시 노원구 섬밭로 ***, 우성 ***동 ***호 (하계동)
출원인 / 주소
  • 동우 화인켐 주식회사 / 전라북도 익산시 약촌로 *** (신흥동)
대리인 / 주소
  • 서경민; 서만규
심사진행상태 취하(심사미청구)
법적상태 취하

초록

본 발명은 중공 실리카 입자의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 중공 실리카 입자에 관한 것으로, 전해질 복합체를 용제에 분산시키는 단계, 실리카 전구체를 투입하여 전해질 복합체/실리카 코어쉘을 형성하는 단계 및 물을 이용하여 상기 전해질 복합체/실리카 코어쉘에서 전해질 복합체를 제거하는 단계를 포함한다.본 발명에 의한 중공 실리카 입자의 제조 방법은 템플릿 코어로 고분자 전해질과 암모니아수 복합체를 이용하기에 물을 투입하여 실리카 쉘 내에서 상기 복합체를 간단하게 제거할 수 있다. 또한, 중공 실리카 입자의 제조 공정을 보다 단

대표청구항

전해질 복합체를 형성하는 단계,상기 전해질 복합체를 용제에 분산시키는 단계,상기 용제에 실리카 전구체를 투입하여 전해질 복합체/실리카 코어쉘을 형성하는 단계 및물을 이용하여 상기 전해질 복합체/실리카 코어쉘에서 전해질 복합체를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 중공 실리카 입자의 제조 방법.

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