최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
---|---|---|
국제특허분류(IPC8판) |
|
|
출원번호 | 10-2010-7004095 (2010-02-24) | |
공개번호 | 10-2010-0084503 (2010-07-26) | |
등록번호 | 10-1346259-0000 (2013-12-23) | |
우선권정보 | 미국(US) 12/203,846 (2008-09-03);미국(US) 60/997,945 (2007-10-05) | |
국제출원번호 | PCT/US2008/078626 (2008-10-02) | |
국제공개번호 | WO 2009/046219 (2009-04-09) | |
번역문제출일자 | 2010-02-24 | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020107004095 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
|
|
대리인 / 주소 |
|
|
심사청구여부 | 있음 (2010-12-23) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
활성 영역 및 에지 터미네이션 영역을 포함하는 MOSFET의 제조방법이 개시된다. 방법은 활성 영역에 위치한 트렌치의 바닥 및 에지 터미네이션 영역에 위치한 트렌치의 바닥에 제1 다수의 임플란트를 형성하는 것을 포함한다. 제2 다수의 임플란트는 활성 영역에 위치한 상기 트렌치의 바닥에 형성된다. 활성 영역에 위치한 트렌치의 상기 바닥에 형성된 제2 다수의 임플란트는 활성 영역에 위치한 트렌치의 바닥에 형성된 임플란트를 미리 결정된 농도에 도달하도록 유발한다. 그렇게 함으로써, 활성 영역과 에지 터미네이션 영역 둘 다의 항복전압을 유
활성 영역 및 에지 터미네이션 영역을 포함하는 반도체 장치의 제조방법으로서,상기 활성 영역에 위치한 트렌치의 바닥 및 상기 에지 터미네이션 영역에 위치한 트렌치의 바닥에 제1 다수의 임플란트를 형성하는 것; 및상기 에지 터미네이션 영역에 위치한 상기 제1 다수의 임플란트를 남겨두고, 상기 활성 영역에 위치한 상기 트렌치의 바닥에 제2 다수의 임플란트를 형성하는 것;을 포함하고, 상기 활성 영역에 위치한 상기 트렌치의 상기 바닥에 형성된 상기 제2 다수의 임플란트를 통해 상기 활성 영역에 위치한 상기 트렌치의 바닥에 형성된 상기 임플
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.