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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2010-7010932 (2010-05-19) |
공개번호 | 10-2010-0087168 (2010-08-03) |
국제출원번호 | PCT/JP2008/070813 (2008-11-14) |
국제공개번호 | WO2009066624 (2009-05-28) |
번역문제출일자 | 2010-05-19 |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020107010932 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 거절결정(일반) |
법적상태 | 거절 |
본 발명은, 유리 기판의 박판화를 목적으로 하는 에칭 처리 방법으로서, 에칭 레이트가 높으면서도 유리 기판 표면에서의 헤이즈의 발생을 억제할 수 있는 에칭 처리 방법을 제공한다.본 발명은 유리 기판 표면을 에칭량 1 내지 690㎛로 에칭 처리하는 유리 기판 표면의 에칭 처리 방법에 있어서, 상기 에칭 처리가 HF 농도 1 내지 5wt%, HCl 농도 1wt% 이상의 에칭액에 의해 행하여지는 것을 특징으로 하는 유리 기판 표면의 에칭 처리 방법에 관한 것이다.
유리 기판 표면을 에칭량 1 내지 690㎛로 에칭 처리하는 유리 기판 표면의 에칭 처리 방법에 있어서, 상기 에칭 처리가 HF 농도 1 내지 5wt%, HCl 농도 1wt% 이상의 에칭액에 의해 행하여지는 것을 특징으로 하는, 유리 기판 표면의 에칭 처리 방법.
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