초록

포타슘 및 소듐을 제외하고 각 미량 금속 불순물이 200 ppb 미만이고, 2ppm 미만의 잔류 알콜을 갖고, 포타슘 및 소듐을 제외한 누적 미량 금속 농도가 약 0.5 내지 약 5ppm 범위인 복수의 콜로이드 실리카 입자; 및 입자를 분산시키기 위한 매질을 포함하는 조성물과 기재를 접촉시키는 단계를 포함하는 기재 표면의 화학적 기계적 연마 방법으로서, 상기 조성물이 초고순도 콜로이드 실리카 분산물이고, 상기 접촉 단계는 기재를 평탄화하기에 충분한 온도에서 기재를 평탄화하기에 충분한 시간 동안 수행되는 방법.

대표청구항 ▼

(i) Li, Rb, Cs, Fr, Fe 및 Al로 구성된 그룹 중에서 선택되는 하나 이상의 미량 금속 불순물을 각각 5ppb 내지 200ppb의 범위 내로 포함하고, 2ppm 미만의 잔류 알콜을 포함하며, 상기 미량 금속 불순물의 축적 농도가 0.5 내지 5ppm 범위인 복수의 콜로이드 실리카 입자; 및 (ii) 상기 입자를 현탁시키기 위한 매질;을 포함하는 조성물과 기판을 접촉시키는 단계를 포함하는 기재 표면의 화학적 기계적 연마 방법으로서, 상기 조성물이 초고순도 콜로이드 실리카 분산물이고, 상기 접촉 단계는 상기 기재를 평탄

(i) Li, Rb, Cs, Fr, Fe 및 Al로 구성된 그룹 중에서 선택되는 하나 이상의 미량 금속 불순물을 각각 5ppb 내지 200ppb의 범위 내로 포함하고, 2ppm 미만의 잔류 알콜을 포함하며, 상기 미량 금속 불순물의 축적 농도가 0.5 내지 5ppm 범위인 복수의 콜로이드 실리카 입자; 및 (ii) 상기 입자를 현탁시키기 위한 매질;을 포함하는 조성물과 기판을 접촉시키는 단계를 포함하는 기재 표면의 화학적 기계적 연마 방법으로서, 상기 조성물이 초고순도 콜로이드 실리카 분산물이고, 상기 접촉 단계는 상기 기재를 평탄화하기 위해서 수행되는 것이며, 및상기 콜로이드 실리카 입자가 흄드 실리카를 알칼리 금속 하이드록사이드를 포함하는 수성 용매에 용해시켜서 알칼리 실리케이트 용액을 제조하는 단계;이온 교환을 통하여 알칼리 금속을 제거하여 알칼리 실리케이트 용액을 규산 용액으로 전환시키는 단계;핵화 및 입자 성장을 개시하도록 상기 규산 용액의 온도, 농도 및 pH를 조절하는 단계;콜로이드 실리카 분산물을 생성하도록 상기 규산 용액을 냉각시키는 단계; 및 상기 콜로이드 실리카 입자가 10nm 내지 200nm의 평균 또는 전체 입자 크기를 갖도록 상기 콜로이드 실리카 분산물로부터 상기 콜로이드 실리카 입자를 분리하는 단계;를 포함하는 공정에 의하여 제조되는 기재 표면의 화학적 기계적 연마 방법.