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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2010-7018328 (2010-08-18) | |
공개번호 | 10-2010-0122082 (2010-11-19) | |
등록번호 | 10-1568442-0000 (2015-11-05) | |
우선권정보 | 미국(US) 12/033,859 (2008-02-19) | |
국제출원번호 | PCT/US2008/008209 (2008-07-02) | |
국제공개번호 | WO 2009/105076 (2009-08-27) | |
번역문제출일자 | 2010-08-18 | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020107018328 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2013-07-02) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 고표면적 흑연화 탄소 및 고표면적 흑연화 탄소 제조 방법에 관한 것이다.본 발명의 방법은 출발 탄소 물질의 흑연화 단계 및 표면적 증가 단계를 (어떤 순서로든) 행하여 고표면적 흑연화 탄소를 생성하는 것을 포함한다.표면적 증가 단계는 임의로 산화 단계(예: 증기 에칭을 통해) 또는 복합 입자로부터 템플레이트 제거를 포함한다.또, 본 발명은 고표면적 흑연화 탄소로부터 생성된 촉매 입자 및 촉매 입자를 이용한 전극에 관한 것이다.
출발 탄소 물질의 흑연화 단계 및 표면적 증가 단계를 어떤 순서로든 행하여 고표면적 흑연화 탄소를 생성하는 것을 포함하고, 여기서 상기 표면적 증가 단계는 산화 또는 템플레이트상 제거에 의해 일어나며, 표면적 증가 단계 후의 출발 탄소 물질과 표면적 증가 단계 전의 출발 탄소 물질의 표면적 차가 100 ㎡/g 이상이고, 고표면적 흑연화 탄소가 XRD로 측정하여 0.3500 ㎚ 미만의 d 간격을 갖는 것인 고표면적 흑연화 탄소의 제조 방법.
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