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연합인증

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고순도 구리 및 전해에 의한 고순도 구리의 제조 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC9판)
  • C22C-009/00
  • C25C-001/12
  • C25C-007/06
  • C22C-009/01
출원번호 10-2010-7019962 (2010-09-07)
공개번호 10-2010-0108457 (2010-10-06)
등록번호 10-1058765-0000 (2011-08-17)
국제출원번호 PCT/JP2009/066479 (2009-09-24)
국제공개번호 WO2010038641 (2010-04-08)
번역문제출일자 2010-09-07
DOI http://doi.org/10.8080/1020107019962
발명자 / 주소
  • 신도 유이치로 / 일본 이바라키켕 기타이바라키시 하나카와쵸 우스바 ***반치 * 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 이소하라고죠 나이
  • 시마모토 스스무 / 일본 이바라키켕 기타이바라키시 하나카와쵸 우스바 ***반치 * 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 이소하라고죠 나이
  • 후쿠시마 아츠시 / 일본 이바라키켕 기타이바라키시 하나카와쵸 우스바 ***반치 * 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 이소하라고죠 나이
출원인 / 주소
  • 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 / 일본국 도쿄토 치요다쿠 오테마치 *초메 *반 *고
대리인 / 주소
  • 특허법인코리아나
심사청구여부 있음 (2010-09-07)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 등록

초록

순도가 6 N 이상인 고순도 구리로서, P, S, O, C 의 각 성분의 함유량이 각각 1 ppm 이하이며, 그 구리 또는 구리 합금에 함유되는 입경 0.5 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하의 비금속 개재물이 10,000 개/g 이하인 것을 특징으로 하는 고순도 구리. 유해한 P, S, C, O 계 개재물을 저감시킨 고순도 구리 및 고순도 구리 합금을 원료로서 사용하여, 비금속 개재물의 존재 형태를 제어함으로써, 본딩 와이어의 절단 발생 저감이나 기계적 강도의 재현성 향상, 혹은 고순도 구리 타겟을 스퍼터링하여 형성한 반도체 디바이스 배선의

대표청구항

순도가 6 N 이상인 고순도 구리로서, P, S, O, C 의 각 성분의 함유량이 각각 1 ppm 이하이며, 그 구리에 함유되는 입경 0.5 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하의 비금속 개재물이 10,000 개/g 이하인 것을 특징으로 하는 고순도 구리.

이 특허를 인용한 특허 (1)

  1. [한국] 염화 구리, CVD 원료, 구리 배선막 및 염화 구리의 제조 방법 | 가노우 가쿠, 오모리 다츠야
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