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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2010-7019962 (2010-09-07) |
공개번호 | 10-2010-0108457 (2010-10-06) |
등록번호 | 10-1058765-0000 (2011-08-17) |
국제출원번호 | PCT/JP2009/066479 (2009-09-24) |
국제공개번호 | WO2010038641 (2010-04-08) |
번역문제출일자 | 2010-09-07 |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020107019962 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2010-09-07) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 등록 |
순도가 6 N 이상인 고순도 구리로서, P, S, O, C 의 각 성분의 함유량이 각각 1 ppm 이하이며, 그 구리 또는 구리 합금에 함유되는 입경 0.5 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하의 비금속 개재물이 10,000 개/g 이하인 것을 특징으로 하는 고순도 구리. 유해한 P, S, C, O 계 개재물을 저감시킨 고순도 구리 및 고순도 구리 합금을 원료로서 사용하여, 비금속 개재물의 존재 형태를 제어함으로써, 본딩 와이어의 절단 발생 저감이나 기계적 강도의 재현성 향상, 혹은 고순도 구리 타겟을 스퍼터링하여 형성한 반도체 디바이스 배선의
순도가 6 N 이상인 고순도 구리로서, P, S, O, C 의 각 성분의 함유량이 각각 1 ppm 이하이며, 그 구리에 함유되는 입경 0.5 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하의 비금속 개재물이 10,000 개/g 이하인 것을 특징으로 하는 고순도 구리.
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