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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2010-7029133 (2010-12-24) |
공개번호 | 10-2011-0021951 (2011-03-04) |
국제출원번호 | PCT/EP2009/056160 (2009-05-20) |
국제공개번호 | WO2009150021 (2009-12-17) |
번역문제출일자 | 2010-12-24 |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020107029133 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 거절결정(일반) |
법적상태 | 거절 |
본 발명은 하기 단계들을 a-b-c-d의 순서로 포함하는 다공성 물질의 제조 방법에 관한 것이다: (a) 용매 (C)의 존재 하에 1종 이상의 유기실란 (A)를 물과 반응시켜 중합체 물질을 형성하는 단계, (b) 상기 중합체 물질을 제1 열처리하는 단계, (c) 상기 중합체 물질을 1종 이상의 탈히드록시화제 (D)와 접촉시키는 단계, 및 (d) 상기 중합체 물질을 전자기 방사선 처리 및/또는 추가 열처리하는 단계.본 발명은 또한 본 발명의 방법에 의해 수득가능한 다공성 물질, 상기 다공성 물질을 포함하는 반도체 소자 및 전자 부품,
하기 단계들을 a-b-c-d의 순서로 포함하는 다공성 물질의 제조 방법:(a) 용매 (C)의 존재 하에 1종 이상의 유기실란 (A)를 물과 반응시켜 중합체 물질을 형성하는 단계,(b) 상기 중합체 물질을 제1 열처리하는 단계,(c) 상기 중합체 물질을 1종 이상의 탈히드록시화제 (D)와 접촉시키는 단계, 및(d) 상기 중합체 물질을 전자기 방사선 처리 및/또는 추가 열처리하는 단계.
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