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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2011-0016713 (2011-02-24) |
공개번호 | 10-2012-0097241 (2012-09-03) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020110016713 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2011-02-24) |
심사진행상태 | 거절결정(일반) |
법적상태 | 거절 |
본 발명은 나노로드 제조 방법에 관한 것으로, 해결하고자 하는 기술적 과제는 나노로드를 원하는 영역에 형성시킬 수 있을 뿐만 아니라, 나노로드의 길이를 짧게는 수십 나노미터에서 길게는 수 마이크론 이상까지 조절가능 한 나노로드 제조 방법을 제공하는 데 있다.이를 위해 기판층(10) 상부에 나노소재층(20)을 증착하는 나노소재층증착단계(S01); 상기 나노소재층(20) 상부에 금속층(30)을 증착하는 금속층증착단계(S02); 상기 금속층(30)에 열처리 및 플라즈마 처리를 하여 방울패턴(40)을 형성하는 방울패턴형성단계(S03); 상
기판층(10) 상부에 나노소재층(20)을 증착하는 나노소재층증착단계(S01);상기 나노소재층(20) 상부에 금속층(30)을 증착하는 금속층증착단계(S02);상기 금속층(30)에 열처리 및 플라즈마 처리를 하여 방울패턴(40)을 형성하는 방울패턴형성단계(S03);상기 방울패턴(40)을 마스크(mask)로 하여 상기 금속층(30)을 건식식각하여 상기 방울패턴(40)의 하부에 나노로드(50)를 형성하는 건식식각단계(S04); 및,상기 나노로드(50)의 상부에 잔존하는 방울패턴(40)을 제거하는 방울패턴제거단계(S05); 를 포함하여 형성
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