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연합인증

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금속성 및 반도체성 탄소나노튜브의 분리방법, 및 금속성 및 반도체성 탄소나노튜브 분리용 테이프 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • C01B-031/02
  • B82B-003/00
  • C09J-007/02
  • B82Y-030/00
출원번호 10-2011-0040975 (2011-04-29)
공개번호 10-2012-0122675 (2012-11-07)
등록번호 10-1828353-0000 (2018-02-06)
DOI http://doi.org/10.8080/1020110040975
발명자 / 주소
  • 우윤성 / 경기도 수원시 영통구 영통로 ***, 한신아파트 ***동 ***호 (영통동)
  • 최원묵 / 경기도 화성시 동탄반석로 ** ***동 ***호 (반송동,나루마을신도브래뉴아파트)
  • 홍 궈 / 중국 베이징 ******
  • 최재영 / 경기도 수원시 영통구 영통로 ***, ***동 ***호 (영통동, 황골마을주공*단지아파트)
  • 장 진 / 중국 베이징 ******
출원인 / 주소
  • 삼성전자주식회사 / 경기도 수원시 영통구 삼성로 *** (매탄동)
대리인 / 주소
  • 리앤목특허법인
심사청구여부 있음 (2016-03-23)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 등록

초록

금속성 및 반도체성 탄소나노튜브의 분리방법이 제공되며, 탄소나노튜브에 손상을 주지 않으면서도, 탄소나노튜브 배열이 유지된 상태로 각각의 형태의 탄소나노튜브를 효과적으로 분리하는 것이 가능하다.

대표청구항

플렉서블 박막의 적어도 일면에 금속성 및 반도체성 탄소나노튜브 중 어느 하나와 선택적인 흡착력을 갖는 화합물을 결합시키는 단계;금속성 및 반도체성 탄소나노튜브가 혼합 배열된 탄소나노튜브 어레이가 형성된 기판에 상기 플렉서블 박막을 가하여, 상기 화합물이 결합된 플렉서블 박막의 면과 상기 탄소나노튜브 어레이를 접촉시키는 단계; 및 상기 플렉서블 박막을 상기 기판으로부터 분리시키는 단계;를 포함하는 금속성 및 반도체성 탄소나노튜브의 분리방법.

발명자의 다른 특허 :

이 특허를 인용한 특허 (1)

  1. [한국] 두 개의 반도체층으로 이루어진 박막트랜지스터 | 노용영
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