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연합인증

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[한국특허] 실리콘 카바이드 제조 장치 및 실리콘 카바이드 제조 방법
APPARATUS AND METHOD OF FABRICATING SILICON CARBIDE
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IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • C01B-031/36
  • B01J-019/08
출원번호 10-2011-0049695 (2011-05-25)
공개번호 10-2012-0131491 (2012-12-05)
등록번호 10-1950876-0000 (2019-02-15)
DOI http://doi.org/10.8080/1020110049695
발명자 / 주소
  • 강석민 / 서울특별시 중구 한강대로 ***, **층 (남대문로*가, 서울스퀘어)
  • 김무성 / 서울특별시 중구 한강대로 ***, **층 (남대문로*가, 서울스퀘어)
출원인 / 주소
  • 엘지이노텍 주식회사 / 서울특별시 중구 후암로 ** (남대문로*가)
대리인 / 주소
  • 허용록
심사청구여부 있음 (2016-05-23)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 소멸

초록

실리콘 카바이드 제조장치 및 실리콘 카바이드 제조 방법이 제공된다. 실리콘 카바이드 제조장치는 원료를 수용하는 반응로; 상기 반응로 내에 배치되는 제 1 전극; 상기 제 1 전극과 이격되는 제 2 전극; 상기 반응로에 원료를 공급하는 소스 공급부; 및 상기 반응로에서 생성된 입자들을 포집하는 입자 포집부를 포함한다.

대표청구항

원료를 수용하는 반응로;상기 반응로 내에 배치되는 제 1 전극;상기 제 1 전극과 이격되는 제 2 전극;상기 반응로에 원료를 공급하는 소스 공급부; 및상기 반응로에서 생성된 입자들을 포집하는 입자 포집부를 포함하고,상기 입자 포집부는 상기 반응로에서 생성된 실리콘 카바이드 입자들을 포집하고,상기 입자 포집부는제 1 실리콘 카바이드 입자들을 포집하는 제 1 입자 포집부; 및상기 제 1 입자 포집부 상에 배치되고, 상기 제 1 실리콘 카바이드 입자들보다 더 작은 직경을 가지는 제 2 실리콘 카바이드 입자들을 포집하는 제 2 입자 포집부

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (1)

  1. [일본] MANUFACTURING APPARTUS FOR EXTREMELY FINE POWDER OF SILICON CARBIDE | UEDA RYOJI, ANDO YOSHINORI, OKOCHI MASATO, TAKAHASHI SHIGETOSHI, BANDO TOSHIHARU

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