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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2011-0075669 (2011-07-29) | |
등록번호 | 10-1228368-0000 (2013-01-25) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020110075669 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2011-07-29) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 소멸 |
종래 기술에 의한 시모스 X선 이미지센서는 포토다이오드의 폭이 커져서 완전한 핀드 포토다이오드를 생성하기 어려울 뿐만 아니라, 포토다이오드의 저항 증가로 인해 전송 게이트 전극의 전송 능력이 감소하여 신호의 판독 효율이 떨어지는 문제가 있다.이에 본 발명의 실시예에서는, 비교적 큰 폭의 포토다이오드를 갖는 시모스 X선 이미지센서에서 그레이 마스크(gray mask) 형태의 패터닝을 통해 밑면이 경사진 프로파일을 갖는 핀드 포토다이오드(pinned photodiode)를 제조함으로써, 전송 게이트 상의 전하 전송을 용이하게 할 수 있
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