[특허]산화물 반도체 박막트랜지스터 및 그 제조 방법

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산화물 반도체 박막트랜지스터 및 그 제조 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/등록특허	크게보기
국제특허분류(IPC8판)	H01L-029/786 H01L-021/336
출원번호	10-2011-0087114 (2011-08-30)
공개번호	10-2013-0023980 (2013-03-08)
등록번호	10-1824651-0000 (2018-01-26)
DOI	http://doi.org/10.8080/1020110087114
발명자 / 주소	박세희 / 부산광역시 동래구 연안로번길 - (안락동) 이슬 / 경기도 파주시 월롱면 엘씨디로 * *동 **호 (덕은리,정다운마을)
출원인 / 주소	엘지디스플레이 주식회사 / 서울특별시 영등포구 여의대로 ***(여의도동)
대리인 / 주소	특허법인네이트
심사청구여부	있음 (2016-08-30)
심사진행상태	등록결정(일반)
법적상태	등록

초록

본 발명은, 기판과; 상기 기판 상부에 형성되는 게이트전극과; 상기 게이트전극 상부에 제 1 물질로 형성되는 게이트절연막과; 상기 게이트절연막 상부에 상기 제 1 물질의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 제 2 물질로 형성되는 전반사층과; 상기 전반사층 상부에 산화물 반도체 물질로 형성되는 액티브층과; 상기 액티브층 상부에 서로 이격하여 형성되는 소스전극 및 드레인전극을 포함하는 산화물 반도체 박막트랜지스터를 제공한다.

대표청구항

기판과;상기 기판 상부에 형성되는 게이트전극과;상기 게이트전극 상부에 제 1 물질로 형성되는 게이트절연막과;상기 게이트절연막 상부에 상기 제 1 물질의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 제 2 물질로 형성되는 전반사층과;상기 전반사층 상부에 산화물 반도체 물질로 형성되는 액티브층과;상기 액티브층 상부에 서로 이격하여 형성되는 소스전극 및 드레인전극을 포함하며,상기 전반사층 및 액티브층 각각의 폭은 상기 게이트전극의 폭보다 작은 산화물 반도체 박막트랜지스터.

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (2)

[한국] 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 | 정재경, 신현수, 권세열, 진동언, 모연곤
상세보기
[한국] 자기 정합을 이용한 박막트랜지스터 | 오의열
상세보기

관련 콘텐츠

특허 원문 보기

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IPC 상위 출원인

이 특허와 함께 이용한 콘텐츠

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특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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내보내기 구분	파일저장 인쇄 메일전송
구성항목	기본정보 상세정보 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표IPC 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 공고번호, 공고일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표출원인, 출원인국적, 출원인주소, 발명자, 발명자E, 발명자코드, 발명자주소, 발명자 우편번호, 발명자국적, 대표IPC, IPC코드, 요약, 미국특허분류, 대리인주소, 대리인코드, 대리인(한글), 대리인(영문), 국제공개일자, 국제공개번호, 국제출원일자, 국제출원번호, 우선권, 우선권주장일, 우선권국가, 우선권출원번호, 원출원일자, 원출원번호, 지정국, Citing Patents, Cited Patents
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