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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2011-0100354 (2011-09-30) | |
등록번호 | 10-1247721-0000 (2013-03-20) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020110100354 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2011-09-30) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 소멸 |
비아 형성방법이 제공된다.본 발명의 일부 실시예에 따른 비아 형성방법은, 활성면 및 비활성면을 포함하는 반도체 기판을 준비하는 단계; 상기 반도체 기판의 상기 활성면의 일부 영역에 비아홀을 형성하는 단계; 및 상기 비아홀을 용융된 도전물질로 매립하여 비아를 형성하는 단계;를 포함한다.
활성면 및 비활성면을 포함하는 반도체 기판을 준비하는 단계;상기 반도체 기판의 상기 활성면의 일부 영역에 비아홀을 형성하는 단계;상기 비아홀을 용융된 도전물질로 매립하여, 상기 반도체 기판의 활성면과 상기 비아홀을 매립한 도전물질의 상면이 서로 동일한 레벨을 이루도록 비아를 형성하는 단계;상기 반도체 기판의 비활성면에 연마 공정을 수행하여 상기 비아의 하부면을 노출시키는 단계;상기 비아의 상부면이 노출되도록, 상기 반도체 기판의 상면에 절연층을 형성하는 단계;상기 비아의 상면에 연결부재를 형성하는 단계; 및상기 절연층을 제거하는 단
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