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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2011-0107624 (2011-10-20) |
등록번호 | 10-1208770-0000 (2012-11-29) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020110107624 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2011-10-20) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 등록 |
본 발명의 일 측면에 따른 전자방출 특성이 향상된 에미터 제조방법은 탄소나노튜브 등으로 에미터를 성장시키는 성장단계; 상기 성장단계에서 성장된 에미터를 수지로 코팅하는 코팅단계; 및 상기 수지 코팅된 에미터를 열처리하는 어닐링단계를 포함한다.
에미터를 기판 위에 성장시키는 성장단계; 상기 성장단계에서 성장된 에미터를 수지로 코팅하는 코팅단계; 및상기 수지 코팅된 에미터를 열처리하는 어닐링단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자방출 특성이 향상된 에미터 제조방법.
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