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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2011-0112284 (2011-10-31) | |
등록번호 | 10-1256757-0000 (2013-04-15) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020110112284 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2011-10-31) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 소멸 |
다중 씨드층을 이용한 산화아연 나노구조체 제조방법을 제공한다. 다중 씨드층을 이용한 산화아연 나노구조체 제조방법은 기판 및 증착방법의 조합을 통하여 산화아연 씨드층을 형성한다. 또한, 하나의 기판 상에 다중 산화아연 씨드층을 형성한 후에, 상기 다중 산화아연 씨드층 상에 패터닝 및 수열합성법을 이용하여 서로 다른 형상의 산화아연 나노구조를 동시에 형성하는 산화아연 나노구조체의 제조방법을 포함한다. 따라서, 기판-증착방법의 조합을 통하여 산화아연 씨드층의 결정배향성을 조절하고 상기 조절된 결정배향성을 가진 산화아연 씨드층 상에 수열합
기판 상에 제1 산화아연 씨드층 및 제2 산화아연 씨드층을 형성하는 단계;상기 제1 산화아연 씨드층 및 제2 산화아연 씨드층 상에 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및상기 레지스트 패턴 사이로 노출된 제1 산화아연 씨드층 및 제2 산화아연 씨드층 상에 수열합성법을 이용하여 제1 산화아연 나노구조 및 제2 산화아연 나노구조를 성장시키는 단계를 포함하는 산화아연 나노구조체 제조방법.
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