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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2012-0002470 (2012-01-09) | |
공개번호 | 10-2013-0081472 (2013-07-17) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020120002470 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 취하(심사미청구) | |
법적상태 | 취하 |
반도체 메모리 장치 및 반도체 메모리 장치의 셀프 리프레쉬 방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 메모리 장치는, 하나 이상의 메모리 셀을 포함하는 메모리 셀 어레이와, 센싱 라인 및 상보 센싱 라인에 연결되며, 상기 메모리 셀의 데이터를 감지/증폭하는 센스 앰프 및 리프레쉬 동작시, 서로 다른 레벨을 갖는 제1 전압 및 제2 전압을 상기 센싱 라인을 통해 상기 센스 앰프에 순차적으로 제공하는 센스 앰프 제어로직을 구비하는 것을 특징으로 한다.
하나 이상의 메모리 셀을 포함하는 메모리 셀 어레이; 센싱 라인 및 상보 센싱 라인에 연결되며, 상기 메모리 셀의 데이터를 감지/증폭하는 센스 앰프; 및리프레쉬 동작시, 서로 다른 레벨을 갖는 제1 전압 및 제2 전압을 상기 센싱 라인을 통해 상기 센스 앰프에 순차적으로 제공하는 센스 앰프 제어로직을 구비하는 반도체 메모리 장치.
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