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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2012-0006829 (2012-01-20) | |
공개번호 | 10-2013-0085774 (2013-07-30) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020120006829 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 취하(심사미청구) | |
법적상태 | 취하 |
본 발명은 EUV 마스크에 관한 것으로, 특히 웨이퍼 노광시 나타나는 샷 오버랩 현상을 방지할 수 있고, 블랙보더 영역에서 발생하는 불필요한 EUV 및 DUV의 반사를 방지하며, 패턴의 선폭 감소 및 불량을 방지하는 EUV 마스크에 관한 것이다.본 발명의 EUV 마스크는, 석영 기판; 상기 석영 기판 상부에 위치하며 광원을 반사하는 다층 반사막; 상기 다층 반사막 상부에 위치하며 광원을 흡수하는 흡수층; 상기 석영 기판 위치하며 상기 다층 반사막이 형성되지 않는 블랙보더 영역; 및 상기 흡수층의 상부, 상기 석영 기판의 상부 및 상
석영 기판;상기 석영 기판 상부에 위치하며 광원을 반사하는 다층 반사막;상기 다층 반사막 상부에 위치하며 광원을 흡수하는 흡수층;상기 석영 기판 상부에 위치하며 상기 다층 반사막이 형성되지 않는 블랙보더 영역; 및상기 흡수층의 상부, 상기 석영 기판의 상부 및 상기 석영 기판의 하부 중 어느 하나 이상의 영역에 위치하는 블라인드 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크.
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