다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기
| 국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
|---|---|---|
| 국제특허분류(IPC8판) |
|
|
| 출원번호 | 10-2012-0072047 (2012-07-03) | |
| 공개번호 | 10-2014-0004855 (2014-01-14) | |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020120072047 | |
| 발명자 / 주소 | ||
| 출원인 / 주소 |
|
|
| 심사진행상태 | 취하(심사미청구) | |
| 법적상태 | 취하 |
본 실시예에 따른 커패시터 소자는 기판; 상기 기판 상에 배치되며 양의 커패시턴스를 가지는 제 1 유전체 층; 상기 제 1 유전체 층 상부 또는 상기 기판과 상기 제 1 유전체 층 사이에 배치되며 음의 커패시턴스를 가지는 제 2 유전체 층을 포함하여 커패시터 소자의 전체 커패시터가 각각 유전체 층의 커패시턴스보다 크도록 할 수 있다. 이때 음의 커패시턴스는 강유전체 층이 나타내게 되며, 강유전체층의 음의 커패시턴스를 동작 온도 영역에서 안정화 시키기 위하여 상유전체 물질과 혼합한 조성을 사용한다.
기판;상기 기판 상에 배치되며 양의 커패시턴스(capacitance)를 가지는 제 1 유전체 층;상기 제 1 유전체 층 상부 또는 상기 기판과 상기 제 1 유전체 층 사이에 배치되며 음의 커패시턴스를 가지는 제 2 유전체 층을 포함하는 커패시터 소자.
Copyright KISTI. All Rights Reserved.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.