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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2012-0097337 (2012-09-03) | |
등록번호 | 10-1343067-0000 (2013-12-12) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020120097337 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2012-09-03) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 집속형 초음파 변환자 및 제조방법에 관한 것으로, 집속형 초음파 변환자 제조방법에 있어서, 일면에 전극이 형성된 PVDF 압전소자의 전극방향에 세라믹틀을 배치하여 PVDF 압전소자의 후면층이 형성되도록 전도성 에폭시를 붓는 후면층 형성단계와; 상기 세라믹틀의 전도성 에폭시를 경화시키는 경화단계; 상기 전도성 에폭시가 경화된 PVDF 압전소자를 선반을 이용하여 원통 형상으로 가공하여 PVDF/backing 소자를 제조하는 디스크 가공단계; 상기 PVDF/backing 소자를 일면이 개방된 원통 형상의 금속 하우징에 삽입하는
집속형 초음파 변환자 제조방법에 있어서,일면에 전극이 형성된 PVDF 압전소자의 전극방향에 세라믹틀을 배치하여 PVDF 압전소자의 후면층이 형성되도록 전도성 에폭시를 붓는 후면층 형성단계와;상기 세라믹틀의 전도성 에폭시를 경화시키는 경화단계;상기 전도성 에폭시가 경화된 PVDF 압전소자를 선반을 이용하여 원통 형상으로 가공하여 PVDF/backing 소자를 제조하는 디스크 가공단계;상기 PVDF/backing 소자를 일면이 개방된 원통 형상의 금속 하우징에 삽입하는 삽입단계;상기 삽입된 PVDF/backing 소자의 외측면과 상기
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