초록

본 발명은 비수계 전해액에서 전해법을 이용한 금속 리튬의 제련 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 금속 리튬의 제련 방법은, 금속 리튬을 제련할 때 저온(100℃이하)에서 전해법으로 직접 금속 형태 리튬의 직접 환원이 가능하며, 단순 공정과 전해조건 변화로 대량 생산이 가능하고 원가가 절감될 수 있어 산업에 활용 가능한 리튬 박막의 제조가 가능하다.

대표청구항

(a) 고순도 불활성 기체 분위기 하에서 전도성을 가진 전극을 구비한 전해 셀을 리튬염이 용해된 전도성 비수계 용매에 넣는 단계;(b) 상기 (a)단계의 전해 셀에 맥동 도금(pulsed plating)을 이용한 10~100mA/cm2를 0.001~0.1분, 및 1~5mA/cm2를 1~60분간 주기적으로 통전하여 음극에서는 리튬의 환원이 발생하고 전극 표면에는 금속 리튬이 전착되는 단계; 및(c) 상기 (b)단계의 전착된 금속 리튬을 800~900℃에서 30~90분간 열처리하는 단계;를 포함하는, 금속 리튬의 제련 방법.

(a) 고순도 불활성 기체 분위기 하에서 전도성을 가진 전극을 구비한 전해 셀을 리튬염이 용해된 전도성 비수계 용매에 넣는 단계;(b) 상기 (a)단계의 전해 셀에 맥동 도금(pulsed plating)을 이용한 10~100mA/cm2를 0.001~0.1분, 및 1~5mA/cm2를 1~60분간 주기적으로 통전하여 음극에서는 리튬의 환원이 발생하고 전극 표면에는 금속 리튬이 전착되는 단계; 및(c) 상기 (b)단계의 전착된 금속 리튬을 800~900℃에서 30~90분간 열처리하는 단계;를 포함하는, 금속 리튬의 제련 방법.