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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2012-0150183 (2012-12-21) | |
공개번호 | 10-2013-0079191 (2013-07-10) | |
우선권정보 | 일본(JP) JP-P-2011-281416 (2011-12-22) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020120150183 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 취하(심사미청구) | |
법적상태 | 취하 |
본 발명은 종래보다 발광색을 장파장측으로 시프트할 수 있음과 동시에 고온에서의 발광 특성을 크게 저하시키지 않는 YAG:Ce 형광체 및 발광 장치를 제공한다.결정 조직을 갖는 이트륨 세륨 알루미늄 가넷 형광체에 있어서, 결정 조직의 매트릭스상의 세륨 농도보다 고농도로 세륨을 함유하는 입자 크기 5 nm 이상 20 nm 이하의 나노 결정립을 결정 조직 내에 분산하여 함유한다.
결정 조직을 갖는 이트륨 세륨 알루미늄 가넷 형광체에 있어서, 결정 조직의 매트릭스상의 세륨 농도보다 고농도로 세륨을 함유하는 입자 크기 5 nm 이상 20 nm 이하의 나노 결정립을 결정 조직 내에 분산하여 함유하는 것을 특징으로 하는 이트륨 세륨 알루미늄 가넷 형광체.
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