초록 ▼

본 발명은 게이트 절연막 형성 방법을 제공한다. 플라즈마 처리 장치는 챔버의 상부면의 중심에서 일정한 반경을 가진 원주 상에 균일한 간격으로 배치된 주변 유전체 튜브들, 주변 유전체 튜브들 감싸도록 배치된 주변 안테나들, 주변 유전체 튜브들로부터 수직으로 이격되어 동일한 제1 평면에 배치된 상부 자석들,및 상부 자석들과 주변 유전체 튜브들 사이에 동일한 제2 평면에 각각 배치된 하부 자석들을 포함한다. 플라즈마 처리 장치의 게이트 절연막 형성 방법은 챔버의 내부에 배치된 실리콘 기판의 활성 영역 상에 게이트 절연막으로 동작하는 실리

본 발명은 게이트 절연막 형성 방법을 제공한다. 플라즈마 처리 장치는 챔버의 상부면의 중심에서 일정한 반경을 가진 원주 상에 균일한 간격으로 배치된 주변 유전체 튜브들, 주변 유전체 튜브들 감싸도록 배치된 주변 안테나들, 주변 유전체 튜브들로부터 수직으로 이격되어 동일한 제1 평면에 배치된 상부 자석들,및 상부 자석들과 주변 유전체 튜브들 사이에 동일한 제2 평면에 각각 배치된 하부 자석들을 포함한다. 플라즈마 처리 장치의 게이트 절연막 형성 방법은 챔버의 내부에 배치된 실리콘 기판의 활성 영역 상에 게이트 절연막으로 동작하는 실리콘 산화막을 형성하는 단계, 및 실리콘 산화막 상에 게이트 절연막으로 동작하는 실리콘 산화 질화막을 형성하는 단계를 포함한다. 실리콘 산화막을 형성하는 단계는 주변 유전체 튜브들을 통하여 산소를 포함하는 가스를 챔버에제공하여 형성한 헬리콘 플라즈마를 실리콘 기판에 노출시키어 상기 실리콘 기판을 산화시키는 것을 포함한다. 실리콘 산화 질화막을 형성하는 단계는 주변 유전체 튜브들을 통하여 질소를 포함하는 가스를 챔버에 제공하여 형성한 헬리콘 플라즈마를 실리콘 산화막 상에 노출시키어 실리콘 산화 질화막을 형성한다.

대표청구항 ▼

챔버의 상부면의 중심에서 일정한 반경을 가진 원주 상에 균일한 간격으로 배치된 주변 유전체 튜브들; 상기 주변 유전체 튜브들 감싸도록 배치된 주변 안테나들; 상기 주변 유전체 튜브들로부터 수직으로 이격되어 동일한 제1 평면에 배치된 상부 자석들;및 상기 상부 자석들과 상기 주변 유전체 튜브들 사이에 동일한 제2 평면에 각각 배치된 하부 자석들을 포함하는 플라즈마 처리 장치의 게이트 절연막 형성 방법에 있어서,상기 챔버의 내부에 배치된 실리콘 기판의 활성 영역 상에 게이트 절연막으로 동작하는 실리콘 산화막을 형성하는 단계; 및상기 실

챔버의 상부면의 중심에서 일정한 반경을 가진 원주 상에 균일한 간격으로 배치된 주변 유전체 튜브들; 상기 주변 유전체 튜브들 감싸도록 배치된 주변 안테나들; 상기 주변 유전체 튜브들로부터 수직으로 이격되어 동일한 제1 평면에 배치된 상부 자석들;및 상기 상부 자석들과 상기 주변 유전체 튜브들 사이에 동일한 제2 평면에 각각 배치된 하부 자석들을 포함하는 플라즈마 처리 장치의 게이트 절연막 형성 방법에 있어서,상기 챔버의 내부에 배치된 실리콘 기판의 활성 영역 상에 게이트 절연막으로 동작하는 실리콘 산화막을 형성하는 단계; 및상기 실리콘 산화막 상에 게이트 절연막으로 동작하는 실리콘 산화 질화막을 형성하는 단계를 포함하고,상기 실리콘 산화막을 형성하는 단계는 상기 주변 유전체 튜브들을 통하여 산소를 포함하는 가스를 상기 챔버에제공하여 형성한 헬리콘 플라즈마를 상기 실리콘 기판에 노출시키어 상기 실리콘 기판을 산화시키는 것을 포함하고,상기 실리콘 산화 질화막을 형성하는 단계는 상기 주변 유전체 튜브들을 통하여 질소를 포함하는 가스를 상기 챔버에 제공하여 형성한 헬리콘 플라즈마를 상기 실리콘 산화막 상에 노출시키어 실리콘 산화 질화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 게이트 절연막 형성 방법.