최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
---|---|---|
국제특허분류(IPC8판) |
|
|
출원번호 | 10-2013-0044947 (2013-04-23) | |
공개번호 | 10-2014-0126586 (2014-10-31) | |
등록번호 | 10-1666872-0000 (2016-10-11) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020130044947 | |
발명자 / 주소 |
|
|
출원인 / 주소 |
|
|
대리인 / 주소 |
|
|
심사청구여부 | 있음 (2015-02-27) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
리튬을 도프 및 탈도프할 수 있는 물질의 표면에 탄소 나노 튜브를 건식 코팅하는 단계를 포함하는 양극 활물질의 제조 방법, 양극 활물질, 및 이를 포함하는 리튬 이차 전지에 관한 것이다.
리튬을 도프 및 탈도프할 수 있는 물질의 표면에 탄소 나노 튜브를 건식 코팅하는 단계를 포함하고,상기 건식 코팅 단계는 상기 리튬을 도프 및 탈도프할 수 있는 물질 및 상기 탄소 나노 튜브를 다목적 믹서기에 투입하여 혼합하는 공정을 통해 수행되고,상기 건식 코팅 단계는 10분 내지 15분 동안 수행되며,상기 탄소 나노 튜브는 상기 리튬을 도프 및 탈도프할 수 있는 물질 100 중량부에 대하여 0.1 중량부 내지 3 중량부 사용되는 것인 리튬 이차 전지용 양극 활물질의 제조 방법.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.