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연합인증

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침전법을 이용한 고온안정상 이산화티타늄 제조기술 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)
  • C01G-023/04
  • C01G-023/02
  • B82B-001/00
  • B82B-003/00
출원번호 10-2013-0066576 (2013-06-11)
공개번호 10-2014-0144509 (2014-12-19)
DOI http://doi.org/10.8080/1020130066576
발명자 / 주소
  • 이재혁 / 서울 강북구 삼양로**길 **, ***동 ****호 (미아동, 삼성래미안트리베라*차아파트)
출원인 / 주소
  • 주식회사 드림그리너스 / 서울특별시 서초구 사평대로 ***, 코웰빌딩지하*층 타호비즈니스센터 *** (반포동)
  • 장병순 / 경기도 수원시 영통구 매봉로**번길 **, ***호 (매탄동)
심사청구여부 있음 (2013-06-11)
심사진행상태 거절결정(일반)
법적상태 거절

초록

본 발명은 염산 혹은 황산을 이용하지않고, 물과의 수열반응을 이용하여 비교적 저온에서 나노크기의 루타일상을가진 이산화티타늄 TiO2를 제조하는 방법으로서, 열처리에 의해 아나타제사을 제조할 수 있으며, 상대적으로 분산성과 입자크기가 나노크기인 이산화티타늄 분말과 그 제조방법에 관한 것이다.TiO2는 anatase나 rutile의 결정상태에서 광촉매 활성을 가지며 안정성도 비교적 우수하며 친환경적이라는 장점을 가지고 있다. 또한 밴드갭이 3.0~3.2eV 정도가 되어 파장이 400nm 이하인 빛을 흡수하게 되면 전자와 정공을 형성하여

대표청구항

TiO2제조 時, TiCl4, TiSO4, TiCl2 출발물질로, Ti2+이온의 농도를 2∼8M롤 제어하고, 무게당 비율로 2:8로 TiCl4, TiCl2, TiSO4:H2O 첨가하여 TiOCl2, TiO(OH)2 슬러리를 형성하는 단계

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