초록 ▼

본 발명은 고주파 대역에서 직류중첩이 우수한 칩 인덕터용 아몰퍼스 코어 및 권선형 칩 인덕터의 제조방법에 관한 것으로, 포화 자속 밀도를 높이고 발열특성이 우수하며 직류중첩시 포화되는 특성이 작고1 MHz 이상의 고주파 대역에서 고수명 및 전원 효율이 우수한 칩 인덕터를 개발하기 위하여, 급속응고방법(RSP)으로 제조한 코발트 베이스, 철 베이스 및 나노 크리스탈린(Nano crystalline)으로 이루어진 군에서 선택된 아몰퍼스 분말을 유리 멜트 또는 유기 절연 물질에 코팅하고, 상기 코팅 분말을 크기별 분급 및 칭량을 통해 특

본 발명은 고주파 대역에서 직류중첩이 우수한 칩 인덕터용 아몰퍼스 코어 및 권선형 칩 인덕터의 제조방법에 관한 것으로, 포화 자속 밀도를 높이고 발열특성이 우수하며 직류중첩시 포화되는 특성이 작고1 MHz 이상의 고주파 대역에서 고수명 및 전원 효율이 우수한 칩 인덕터를 개발하기 위하여, 급속응고방법(RSP)으로 제조한 코발트 베이스, 철 베이스 및 나노 크리스탈린(Nano crystalline)으로 이루어진 군에서 선택된 아몰퍼스 분말을 유리 멜트 또는 유기 절연 물질에 코팅하고, 상기 코팅 분말을 크기별 분급 및 칭량을 통해 특정 배합비로 조성한 코팅 분말을 "I" 자 형상의 코어로 성형한 다음, 인덕턴스와 품질계수 특성을 최대한 구현하기 위해 특정 조건에서 열처리하여 코어를 제조하는 방법 및 상기 방법으로 제조하여 수득한 코어를 사용하여 권선형 칩 인덕터의 제조방법을 제공한다.

대표청구항 ▼

(a) 급속응고방법(RSP)으로 제조한 코발트 베이스, 철 베이스 및 나노 크리스탈린(Nano crystalline)으로 이루어진 군에서 선택된 아몰퍼스 분말 95~99 wt%에 유리 멜트 또는 유기 절연 물질 1~5 wt%를 용융시켜 혼합한 후, 100~400℃에서 열처리하는 분말 코팅 단계;(b) 상기 (a) 단계를 거친 아몰퍼스 분말은 입자 크기가 106 ~ 150㎛인 분말 15~ 75 wt%, 75 ~ 106 ㎛인 분말 25 ~ 85wt%로 구성하는 분급 및 칭량 단계;(c) 상기 (b) 단계를 거친 분말 93~98.5 wt

(a) 급속응고방법(RSP)으로 제조한 코발트 베이스, 철 베이스 및 나노 크리스탈린(Nano crystalline)으로 이루어진 군에서 선택된 아몰퍼스 분말 95~99 wt%에 유리 멜트 또는 유기 절연 물질 1~5 wt%를 용융시켜 혼합한 후, 100~400℃에서 열처리하는 분말 코팅 단계;(b) 상기 (a) 단계를 거친 아몰퍼스 분말은 입자 크기가 106 ~ 150㎛인 분말 15~ 75 wt%, 75 ~ 106 ㎛인 분말 25 ~ 85wt%로 구성하는 분급 및 칭량 단계;(c) 상기 (b) 단계를 거친 분말 93~98.5 wt%에 바인더 1~5 wt%와 윤활제 0.5~3 wt%를 첨가하여 혼합하고 건조하는 단계;(d) 상기 (c) 단계를 거친 분말을 판상형 사각 코어 형상의 금형에 적재하고 프레스를 이용하여 12,000~18,000 kgf/㎤의 성형압으로 칩 인덕터 코어를 성형하는 단계;(e) 상기 (d) 단계를 거친 칩 인덕터 코어를 410~600℃의 온도에서 질소 조건 하에 30~180분 동안 열처리하는 단계; 및(f) 상기 (e) 단계를 거친 칩 인덕터 코어 표면에 에폭시 수지로 절연체 코팅하는 단계;를 포함하여 이루어지는 고주파 대역에서 직류중첩이 우수한 칩 인덕터용 아몰퍼스 코어의 제조방법.