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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2013-0090880 (2013-07-31) | |
공개번호 | 10-2015-0015183 (2015-02-10) | |
등록번호 | 10-1621470-0000 (2016-05-10) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020130090880 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2013-07-31) | |
심사진행상태 | 등록결정(재심사후) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 MoS2 박막 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 MoS2 박막 및 이의 제조방법은 MoS2 박막을 원자층증착법에 의하여 제공하는 것이다. 특히 원자층증착법에 의하면서도 H2S와 같은 유독 가스를 황 전구체로 사용하지 않기 때문에 친환경적이다. 또한 제조 과정에서 제조 장비의 손상 및 오염을 방지할 수 있다. 또한 MoS2 박막의 두께를 원자층 수준에서 정교하게 조절하여 제조하는 것이 가능하다.
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