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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2013-0159602 (2013-12-19) | |
공개번호 | 10-2015-0072529 (2015-06-30) | |
등록번호 | 10-1575892-0000 (2015-12-02) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020130159602 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2013-12-19) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 소멸 |
본 발명에 따른 YSZ-Ni 입자의 제조방법은 YSZ(Yttria-Stabilized Zirconia) 입자를 습식공정으로 전처리하는 단계; 및 전처리된 YSZ 입자를 무전해 니켈 도금하여 코어-쉘 구조의 YSZ-Ni 입자를 제조하는 단계를 포함하며, 본 발명에 따른 방법에 의해서 제조된 YSZ-Ni 입자는 탄소침적률이 낮다.
YSZ 입자를 1,000 내지 1,500 ℃에서 1 내지 5시간 동안 열처리하는 단계;YSZ(Yttria-Stabilized Zirconia) 입자를 민감화(sensitization) 처리 및 활성화(activation) 처리를 3회 이상 수행하는 전처리하는 단계; 및 전처리된 YSZ 입자를 무전해 니켈 도금하여 코어-쉘 구조의 YSZ-Ni 입자를 제조하는 단계;를 포함하며,상기 민감화 처리는 상기 YSZ 입자를 SnCl2 및 HCl로 처리하며, 상기 활성화 처리는 민감화 처리한 YSZ 입자를 PdCl2 및 HCl로 처리하며, 상기
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