초록 ▼

슬러지의 생성을 최저한으로 억제하고, 러닝 코스트를 삭감시키면서 저온도화된 화성 처리액을 사용하는 경우에도 화성 처리성이 우수한 Si 함유 냉연 강판의 제조 방법 및 장치를 제공한다. Si 를 0.5 ∼ 3.0 mass％ 함유한 강을 냉간 압연한 후, 연속 어닐링하고, 추가로 그 후, 그 연속 어닐링한 냉연 강판의 표면을 산세하는 공정과, 그 산세 후의 강판 표면을 추가로 비산화성 산을 이용하여 재산세하는 공정을 가지며, 재산세액의 샘플링을 연속 또는 주기적으로 실시하여 샘플링한 액의 산 농도를 측정하고, 재산세액의 산 농도를 소정

슬러지의 생성을 최저한으로 억제하고, 러닝 코스트를 삭감시키면서 저온도화된 화성 처리액을 사용하는 경우에도 화성 처리성이 우수한 Si 함유 냉연 강판의 제조 방법 및 장치를 제공한다. Si 를 0.5 ∼ 3.0 mass％ 함유한 강을 냉간 압연한 후, 연속 어닐링하고, 추가로 그 후, 그 연속 어닐링한 냉연 강판의 표면을 산세하는 공정과, 그 산세 후의 강판 표면을 추가로 비산화성 산을 이용하여 재산세하는 공정을 가지며, 재산세액의 샘플링을 연속 또는 주기적으로 실시하여 샘플링한 액의 산 농도를 측정하고, 재산세액의 산 농도를 소정 농도 범위로 상시 제어한다.

대표청구항 ▼

Si 를 0.5 ∼ 3.0 mass％ 함유한 강을 냉간 압연한 후, 연속 어닐링하고, 추가로 그 후, 그 연속 어닐링한 냉연 강판의 표면을 산세하는 공정과,그 산세 후의 강판 표면을 추가로 비산화성 산을 이용하여 재산세하는 공정을 가지며, 재산세액의 샘플링을 연속 또는 주기적으로 실시하여 샘플링한 액의 산 농도를 측정하고, 재산세액의 산 농도를 소정 농도 범위로 상시 제어하고,최초의 산세를 질산 농도가 50 g/L 초과 200 g/L 이하이고, 염산 농도가 1 g/L 초과 200 g/L 인 질산과 염산을 혼합한 산, 또는 질산 농도

Si 를 0.5 ∼ 3.0 mass％ 함유한 강을 냉간 압연한 후, 연속 어닐링하고, 추가로 그 후, 그 연속 어닐링한 냉연 강판의 표면을 산세하는 공정과,그 산세 후의 강판 표면을 추가로 비산화성 산을 이용하여 재산세하는 공정을 가지며, 재산세액의 샘플링을 연속 또는 주기적으로 실시하여 샘플링한 액의 산 농도를 측정하고, 재산세액의 산 농도를 소정 농도 범위로 상시 제어하고,최초의 산세를 질산 농도가 50 g/L 초과 200 g/L 이하이고, 염산 농도가 1 g/L 초과 200 g/L 인 질산과 염산을 혼합한 산, 또는 질산 농도가 50 g/L 초과 200 g/L 이하이고, 불화수소산 농도가 1 g/L 초과 200 g/L 이하인 질산과 불화수소산을 혼합한 산을 산세액에 이용하여 실시하는 것을 특징으로 하는 화성 처리성이 우수한 Si 함유 냉연 강판의 제조 방법.