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[한국특허] GaAs 단결정의 제조 방법 및 GaAs 단결정 웨이퍼
METHOD FOR PRODUCING GAAS SINGLE CRYSTAL AND GAAS SINGLE CRYSTAL WAFER 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • C30B-029/42
  • C30B-011/00
  • C30B-027/00
출원번호 10-2013-7034356 (2013-12-24)
공개번호 10-2014-0044831 (2014-04-15)
등록번호 10-1857612-0000 (2018-05-08)
우선권정보 일본(JP) JP-P-2011-117420 (2011-05-25)
국제출원번호 PCT/JP2012/003204 (2012-05-16)
국제공개번호 WO 2012/160781 (2012-11-29)
번역문제출일자 2013-12-24
DOI http://doi.org/10.8080/1020137034356
발명자 / 주소
  • 나카무라, 요이치 / 일본 ******* 도쿄 치요다쿠 소토칸다 *-**-* 도와 일렉트로닉스 가부시키가이샤 (내)
  • 무라카미, 모토이치 / 일본 ******* 도쿄 치요다쿠 소토칸다 *-**-* 도와 일렉트로닉스 가부시키가이샤 (내)
  • 미야지, 타케히로 / 일본 ******* 도쿄 치요다쿠 소토칸다 *-**-* 도와 일렉트로닉스 가부시키가이샤 (내)
출원인 / 주소
  • 도와 일렉트로닉스 가부시키가이샤 / 일본, 도쿄 , 치요다쿠, 소토칸다 *쵸메, **-*
대리인 / 주소
  • 특허법인 남앤드남
심사청구여부 있음 (2017-01-05)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 등록

초록

본 발명은 높은 캐리어 농도를 가지며, 또한 높은 결정성을 갖는 GaAs 단결정의 제조방법 및 GaAs 단결정 웨이퍼를 제공한다.본 발명은, 종결정(10), 불순물이 되는 Si 원료(12), GaAs 원료(14), 고체인 이산화 규소(16), 및 산화 붕소 원료(18)를 도가니(4) 내에 수용한 상태에서 수직 보트법을 수행하여, GaAs 단결정(20)을 성장시키는 것을 특징으로 하는 GaAs 단결정의 제조 방법이다.

대표청구항 ▼

종결정(種結晶), 불순물이 되는 Si 원료 및 GaAs 원료, 고체인 이산화규소, 및 미리 SiO2가 첨가된 산화 붕소 원료를 도가니 내에 수용한 상태에서 수직 보트법을 실시하여, GaAs 단결정을 성장시킴에 있어서,상기 고체인 이산화규소는, 상기 GaAs 원료와 상기 산화 붕소 원료 사이에 배치된 판형상이며, 결정 성장 개시(開始)시에 있어서의 상기 GaAs 원료가 융해된 GaAs 융액의 상면에 대하여 90~99%의 면적을 차지하고,상기 산화 붕소 원료에 미리 첨가된 SiO2의 Si 양이, 액체인 상기 산화 붕소 원료의 질량에 대

이 특허에 인용된 특허 (3)

  1. [일본] METHOD FOR GROWING SINGLE CRYSTAL OF COMPOUND SEMICONDUCTOR | KAWASE TOMOHIRO
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  2. [일본] PRODUCTION OF GARIUM-ARSENIC SINGLE CRYSTAL | KOHIRO KENJI, NODA AKIRA
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  3. [일본] GALLIUM ARSENIDE SINGLE CRYSTAL AND ITS PRODUCTION | NAKAMURA RYOICHI, OHASHI TOSHIAKI, TOBA RYUICHI
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