초록 ▼

본 발명은 혈관 삽입형 초음파 변환자의 제조 방법 및 혈관 삽입형 초음파 변환자 구조체에 관한 것으로서, 초음파 변환자의 제조 방법은, 미리 설정된 두께에 따라 래핑(lapping)된 압전소자를 형성하고, 압전소자의 래핑된 면에 전도성 물질을 증착시키고, 전도성 물질이 증착된 압전소자의 전면과 후면을 캐스팅(casting)함으로써 각각 정합층과 후면층을 형성하고 미리 설정된 두께에 따라 래핑하며, 정합층, 압전소자 및 후면층이 적층된 소자를 IVUS(intravascular ultrasound)를 위한 임계 크기 이하가 되도록 적층

본 발명은 혈관 삽입형 초음파 변환자의 제조 방법 및 혈관 삽입형 초음파 변환자 구조체에 관한 것으로서, 초음파 변환자의 제조 방법은, 미리 설정된 두께에 따라 래핑(lapping)된 압전소자를 형성하고, 압전소자의 래핑된 면에 전도성 물질을 증착시키고, 전도성 물질이 증착된 압전소자의 전면과 후면을 캐스팅(casting)함으로써 각각 정합층과 후면층을 형성하고 미리 설정된 두께에 따라 래핑하며, 정합층, 압전소자 및 후면층이 적층된 소자를 IVUS(intravascular ultrasound)를 위한 임계 크기 이하가 되도록 적층 방향에 따라 절삭(dicing)함으로써 단일 소자(single element)를 제작한다.

대표청구항 ▼

미리 설정된 두께에 따라 래핑(lapping)된 압전소자를 형성하는 단계;상기 압전소자의 래핑된 면에 전도성 물질을 증착시키는 단계;상기 전도성 물질이 증착된 압전소자의 전면과 후면을 캐스팅(casting)함으로써 각각 정합층(matching layer)과 후면층(backing layer)을 형성하고 미리 설정된 두께에 따라 래핑하는 단계; 및상기 정합층, 상기 압전소자 및 상기 후면층이 적층된 소자를 IVUS(intravascular ultrasound)를 위한 임계 크기 이하가 되도록 적층 방향에 따라 절삭(dicing)함으로써

미리 설정된 두께에 따라 래핑(lapping)된 압전소자를 형성하는 단계;상기 압전소자의 래핑된 면에 전도성 물질을 증착시키는 단계;상기 전도성 물질이 증착된 압전소자의 전면과 후면을 캐스팅(casting)함으로써 각각 정합층(matching layer)과 후면층(backing layer)을 형성하고 미리 설정된 두께에 따라 래핑하는 단계; 및상기 정합층, 상기 압전소자 및 상기 후면층이 적층된 소자를 IVUS(intravascular ultrasound)를 위한 임계 크기 이하가 되도록 적층 방향에 따라 절삭(dicing)함으로써 단일 소자(single element)를 생성하는 단계;를 포함하는 초음파 변환자의 제조 방법.