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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2014-0013083 (2014-02-05) |
공개번호 | 10-2015-0066416 (2015-06-16) |
우선권정보 | 대한민국(KR) 1020130151485 (2013-12-06) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020140013083 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2014-02-05) |
심사진행상태 | 거절결정(재심사) |
법적상태 | 거절 |
본 발명은 고농도의 유기 게르마늄을 함유하는 딸기의 재배방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로 게르마늄이 함유된 천연 광석을 평균 입자 사이즈 500 nm 이하로 잘게 분쇄하는 단계; 상기 분쇄된 게르마늄 함유 광석을 물에 혼합하여 액상의 비료 첨가제를 제조하는 단계; 상기 비료 첨가제를 물에 희석하여 희석액을 제조하는 단계; 및 상기 희석액을 딸기에 관주 또는 엽면 시비하는 단계를 포함하는 고농도의 유기 게르마늄을 함유하는 딸기의 재배방법에 관한 것이다.
게르마늄이 함유된 천연 광석을 평균 입자 사이즈 500 nm 이하로 잘게 분쇄하는 단계;상기 분쇄된 게르마늄 함유 광석을 물에 혼합하여 액상의 비료 첨가제를 제조하는 단계;상기 비료 첨가제를 물에 희석하여 희석액을 제조하는 단계; 및상기 희석액을 딸기에 관주 또는 엽면 시비하는 단계를 포함하는 고농도의 유기 게르마늄을 함유하는 딸기의 재배방법.
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