초록

본 발명은 산화물 반도체용 폐타겟 및 스크랩에 함유되어 있는 인듐 및 갈륨을 추출하여 고순도 갈륨 산화물을 회수하는 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 IGZO 타겟 스크랩을 산 용해시킨 후 알칼리 환원을 통해 인듐을 수산화물 형태로 분리시키고, 남은 여액을 산을 통한 pH조절로 갈륨을 분리한 후 정제 과정을 통해 산화물 반도체용 타겟 소재에 적용할 수 있는 고순도 갈륨 산화물을 제조하는 신규 방법에 관한 것이다.

대표청구항 ▼

산화물 폐타겟의 습식 회수를 통한 산화물 반도체용 고순도 산화갈륨의 제조방법으로서, (a) InGaZnO(IGZO) 산화물 폐타겟을 산 용액으로 용해시키는 단계;(b) In, Ga, 및 Zn을 함유하는 산 용액에 알칼리 용액을 첨가한 후 환원 침전시켜 수산화인듐(In)을 분리하는 단계;(c) Ga 및 Zn 을 함유하는 여액(餘液)에 산 첨가로 pH 조절하여 수산화갈륨(Ga)을 분리 및 회수하는 단계;(d) 회수된 수산화갈륨(Ga)을 산에 재용해시킨 후 pH 조절을 통해 환원 침전시켜 고순도 수산화갈륨을 재결정 및 정제하는 단계(e)

산화물 폐타겟의 습식 회수를 통한 산화물 반도체용 고순도 산화갈륨의 제조방법으로서, (a) InGaZnO(IGZO) 산화물 폐타겟을 산 용액으로 용해시키는 단계;(b) In, Ga, 및 Zn을 함유하는 산 용액에 알칼리 용액을 첨가한 후 환원 침전시켜 수산화인듐(In)을 분리하는 단계;(c) Ga 및 Zn 을 함유하는 여액(餘液)에 산 첨가로 pH 조절하여 수산화갈륨(Ga)을 분리 및 회수하는 단계;(d) 회수된 수산화갈륨(Ga)을 산에 재용해시킨 후 pH 조절을 통해 환원 침전시켜 고순도 수산화갈륨을 재결정 및 정제하는 단계(e) 정제된 수산화갈륨을 건조 및 열처리하여 산화갈륨을 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 폐타겟을 재활용한 산화물 반도체용 고순도 산화갈륨의 제조방법.