다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기
| 국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
|---|---|---|
| 국제특허분류(IPC8판) |
|
|
| 출원번호 | 10-2014-0040043 (2014-04-03) | |
| 공개번호 | 10-2015-0116017 (2015-10-15) | |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020140040043 | |
| 발명자 / 주소 |
|
|
| 출원인 / 주소 |
|
|
| 대리인 / 주소 |
|
|
| 심사진행상태 | 취하(심사미청구) | |
| 법적상태 | 취하 |
반도체 소자의 세정 및 건조 방법 및 이를 이용하는 반도체 소자의 제조 방법을 제공한다. 세정 및 건조 방법은 기판 상에 패턴을 형성하고, 패턴이 형성된 기판을 세정액을 이용하여 세정하며, 세정액이 잔류하는 패턴이 형성된 기판을 건조 챔버 내에 로딩하고, 패턴이 형성된 기판에 잔류하는 세정액의 농도가 2중량%이하로 희석되도록 건조 챔버로 초임계 상태의 이산화탄소(CO2)를 주입하는 것을 포함한다.
기판 상에 패턴을 형성하는 단계;상기 패턴이 형성된 기판을 세정액을 이용하여 세정하는 단계;상기 세정액이 잔류하는 패턴이 형성된 기판을 건조 챔버 내에 로딩(loading)하는 단계;상기 패턴이 형성된 기판에 잔류하는 세정액의 농도가 2중량%이하로 희석되도록 상기 건조 챔버로 초임계 상태의 이산화탄소(CO2)를 주입하는 단계; 및상기 초임계 상태의 이산화탄소를 배출하여 상기 건조 챔버를 상압하여 상기 패턴이 형성된 기판을 건조하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 세정 및 건조 방법.
해당 특허가 속한 카테고리에서 활용도가 높은 상위 5개 콘텐츠를 보여줍니다.
더보기 버튼을 클릭하시면 더 많은 관련자료를 살펴볼 수 있습니다.
Copyright KISTI. All Rights Reserved.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.