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| 국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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| 국제특허분류(IPC8판) |
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| 출원번호 | 10-2014-0048864 (2014-04-23) | |
| 공개번호 | 10-2015-0122892 (2015-11-03) | |
| 등록번호 | 10-1657208-0000 (2016-09-08) | |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020140048864 | |
| 발명자 / 주소 | ||
| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사청구여부 | 있음 (2014-04-23) | |
| 심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
| 법적상태 | 소멸 |
본 발명은 흑연 기판의 표면 특성 개질 방법에 관한 것으로, 반응로를 관통하여 위치하는 흑연 지그를 냉각로에 연결하고, 상기 흑연 지그가 상기 냉각로로부터 전달받은 냉기를 상기 흑연 지그 상부에 위치하는 흑연기판으로 전달하여 상기 흑연기판이 냉각되는 단계, 분말 상태의 Si을 상기 반응로에 주입하는 단계, 상기 반응로를 진공으로 형성하고 상기 반응로의 온도를 설정된 온도로 유지하여, 상기 분말 상태의 Si가 기체 상태의 Si로 변하는 단계, 그리고 상기 기체 상태의 Si가 상기 냉각된 흑연기판의 표면에 닿아 액체 상태의 Si로 변하
냉각로로부터 전달받은 냉기를 흑연기판으로 전달하기 위하여 밀폐된 육면체 형상의 반응로를 관통하여 흑연 지그를 상기 냉각로에 연결하는 단계; 상기 반응로 내부의 다공성 구조를 갖는 허니컴 담체에 분말 상태의 Si을 담는 단계;상기 반응로를 진공으로 형성하고 상기 반응로의 온도를 설정된 온도로 유지하여, 상기 분말 상태의 Si가 기체 상태의 Si로 변하는 단계; 및상기 기체 상태의 Si가 냉각된 흑연기판의 표면에 닿아 액체 상태의 Si로 변하여 냉각된 흑연기판에 흡착된 고체 상태의 C와 발열활성 반응을 통해 SiC 코팅층을 형성하는 단
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