초록

본 발명은 고내열성 난연 화합물 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 고내열성 난연 화합물 및/또는 이를 이용한 난연제 수지는 폴리카보네이트, ABS, HIPS등 엔지니어링 플라스틱의 첨가제로서 우수한 난연성, 내열성, 열적 안정성 등의 물리, 화학적 물성이 요구되는 EMC와 같은 고신뢰성 전기·전자 부품의 절연재료, 절연판 등 각종 복합재료, 접착제, 코팅제, 도료 등에 폭넓게 적용될 수 있는 발명에 관한 것이다.

대표청구항 ▼

에폭시기를 2개 이상 함유한 비스페놀계 에폭시 화합물 또는 한 분자당 에폭시기를 2개 이상 함유한 폴리 에폭시 화합물; 및 하기 화학식 5 및 화학식 6으로 표시되는 화합물 중에서 선택된 어느 하나를 함유한 인계 화합물;을 촉매 하에 반응시켜 인 변성 폴리 에폭시 화합물을 제조하는 것을 특징으로 하는 고내열성 난연 화합물 제조방법:[화학식 5][화학식 6]상기 화학식 5 및 화학식 6에 있어서, R1 및 R2는 각각 독립적인 것으로서, 치환 또는 비치환된 C1 ~ C10의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 ~ C10의 헤테로 알킬기

에폭시기를 2개 이상 함유한 비스페놀계 에폭시 화합물 또는 한 분자당 에폭시기를 2개 이상 함유한 폴리 에폭시 화합물; 및 하기 화학식 5 및 화학식 6으로 표시되는 화합물 중에서 선택된 어느 하나를 함유한 인계 화합물;을 촉매 하에 반응시켜 인 변성 폴리 에폭시 화합물을 제조하는 것을 특징으로 하는 고내열성 난연 화합물 제조방법:[화학식 5][화학식 6]상기 화학식 5 및 화학식 6에 있어서, R1 및 R2는 각각 독립적인 것으로서, 치환 또는 비치환된 C1 ~ C10의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 ~ C10의 헤테로 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 ~ C10의 알케닐(alkenyl)기, 치환 또는 비치환 C2 ~ C10의 알키닐(alkynyl)기, 치환 또는 비치환된 C5 ~ C20의 방향족 화합물, 치환 또는 비치환된 C5 ~ C20의 헤테로 방향족 화합물, 치환 또는 비치환된 C1 ~ C10의 아실기, 알콜 함유 C1 ~ C10의 알킬기, 바이페닐기, 알콕시기, 에테르기, 에스테르기, 케톤기, 카르복실기, 히드록시기 또는 티올기이다.