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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2014-0061219 (2014-05-21) | |
공개번호 | 10-2014-0140493 (2014-12-09) | |
등록번호 | 10-1649616-0000 (2016-08-12) | |
우선권정보 | 대한민국(KR) 1020130060957 (2013-05-29) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020140061219 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2014-05-22) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 전기화학적 활성 생물막 및 전자 공여체에 의한 밴드 갭이 조작된 반도체 금속 산화물(TiO2, ZnO, CeO2 및 SnO2) 나노 구조물 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 밴드 갭이 조작된 반도체 금속 산화물 나노 구조물은 가시광선((λ> 500nm) 조사 하에 6시간 이내에 염료를 거의 분해할 정도로 뛰어난 광 촉매 성능을 보이며, 값이 싸고, 편리하며, 친환경적인 방법으로 반도체 금속 산화물의 밴드 갭을 축소하는 효과가 있다.
1) 탄소 지지체를, 전자 공여체를 포함하는 무기염 배지에 침지시킨 후, 혐기성 조건하에 혐기성 슬러지를 가하여 탄소 지지체 위에 전기화학적 활성 생물막(EAB)을 제조하는 단계; 2) 상기 1)단계에서 제조한 전기화학적 활성 생물막을, 혐기성 조건하에 반도체 금속 산화물 및 전자 공여체를 포함하는 용액에 침지시켜, 3.0 eV 미만으로 밴드 갭이 축소된, 반도체 금속 산화물 나노 구조물을 제조하는 단계; 및3) 상기 밴드 갭이 축소된 반도체 금속 산화물 나노 구조물을 이용하여 가시광선 조사 하에 염료를 분해하는 단계;를 포함하는,
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