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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2014-0067551 (2014-06-03) | |
공개번호 | 10-2015-0139245 (2015-12-11) | |
등록번호 | 10-1602561-0000 (2016-03-04) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020140067551 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2014-06-03) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
가스 센서 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 가스 센서는 가스 감응층이 로듐(Rh) 첨가 텅스텐 산화물(WO3)로 이루어진다. 본 발명에 따르면, 수분에 의한 산화물 반도체 물질의 가스 감응 특성 저하를 막고 날숨과 같은 고습도 분위기에서 높은 감도, 빠른 반응 특성을 얻을 수 있다. 이러한 가스 센서는 본 발명 제조 방법에 따라 쉽게 제조할 수 있다.
중공형 텅스텐 산화물 (WO3) 나노입자 구체; 및상기 중공형 텅스텐 산화물 나노입자 구체의 표면에 첨가된 로듐 (Rh)을 포함하는 가스감응층을 포함하는 가스 센서.
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