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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2014-0069499 (2014-06-09) | |
공개번호 | 10-2015-0141032 (2015-12-17) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020140069499 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 거절결정(일반) | |
법적상태 | 거절 |
본 발명은 반도체/태양광 웨이퍼 제조시 발생하는 폐슬러리 재생에 관한 것으로, 특히 폐슬러리 절삭분에 포함된 미분(微粉) 상태의 실리콘(Si)을 재생하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 실시예에 따른 폐슬러리 재생방법은 적어도 미분상태의 절삭재와 미분 상태의 실리콘이 혼합되어 있는 폐슬러리에 비중 분리액을 혼합하는 혼합 단계와; 비중 분리액 혼합된 폐슬러리를 교반하는 교반 단계와; 상기 교반된 폐슬러리에서 적어도 절삭재, 미분 상태의 실리콘 및 비중 분리액이 서로 다른 비중 차에 의해 층 분리된 후 상대적으로 큰 비중치를 가지는 절
적어도 미분상태의 절삭재와 미분 상태의 실리콘이 혼합되어 있는 폐슬러리에 비중 분리액을 혼합하는 혼합 단계와;비중 분리액 혼합된 폐슬러리를 교반하는 교반 단계와;상기 교반된 폐슬러리에서 적어도 절삭재, 미분 상태의 실리콘 및 비중 분리액이 서로 다른 비중 차에 의해 층 분리된 후 상대적으로 큰 비중치를 가지는 절삭재가 제거되도록 원심분리하는 원심분리 단계와;상기 원심분리 단계에서 남아 있는 비중 분리액에서 미분 상태의 실리콘을 분리 추출하는 분리 추출단계;를 포함함을 특징으로 하는 폐슬러리 재생방법.
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