초록 ▼

본 발명은 반도체/태양광 웨이퍼 제조시 발생하는 폐슬러리 재생에 관한 것으로, 특히 폐슬러리 절삭분에 포함된 미분(微粉) 상태의 실리콘(Si)을 재생하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 실시예에 따른 폐슬러리 재생방법은 적어도 미분상태의 절삭재와 미분 상태의 실리콘이 혼합되어 있는 폐슬러리에 비중 분리액을 혼합하는 혼합 단계와; 비중 분리액 혼합된 폐슬러리를 교반하는 교반 단계와; 상기 교반된 폐슬러리에서 적어도 절삭재, 미분 상태의 실리콘 및 비중 분리액이 서로 다른 비중 차에 의해 층 분리된 후 상대적으로 큰 비중치를 가지는 절

본 발명은 반도체/태양광 웨이퍼 제조시 발생하는 폐슬러리 재생에 관한 것으로, 특히 폐슬러리 절삭분에 포함된 미분(微粉) 상태의 실리콘(Si)을 재생하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 실시예에 따른 폐슬러리 재생방법은 적어도 미분상태의 절삭재와 미분 상태의 실리콘이 혼합되어 있는 폐슬러리에 비중 분리액을 혼합하는 혼합 단계와; 비중 분리액 혼합된 폐슬러리를 교반하는 교반 단계와; 상기 교반된 폐슬러리에서 적어도 절삭재, 미분 상태의 실리콘 및 비중 분리액이 서로 다른 비중 차에 의해 층 분리된 후 상대적으로 큰 비중치를 가지는 절삭재가 제거되도록 원심분리하는 원심분리 단계와; 상기 원심분리 단계에서 남아 있는 비중 분리액에서 미분 상태의 실리콘을 분리 추출하는 분리 추출단계;를 포함함을 특징으로 한다.

대표청구항

적어도 미분상태의 절삭재와 미분 상태의 실리콘이 혼합되어 있는 폐슬러리에 비중 분리액을 혼합하는 혼합 단계와;비중 분리액 혼합된 폐슬러리를 교반하는 교반 단계와;상기 교반된 폐슬러리에서 적어도 절삭재, 미분 상태의 실리콘 및 비중 분리액이 서로 다른 비중 차에 의해 층 분리된 후 상대적으로 큰 비중치를 가지는 절삭재가 제거되도록 원심분리하는 원심분리 단계와;상기 원심분리 단계에서 남아 있는 비중 분리액에서 미분 상태의 실리콘을 분리 추출하는 분리 추출단계;를 포함함을 특징으로 하는 폐슬러리 재생방법.

적어도 미분상태의 절삭재와 미분 상태의 실리콘이 혼합되어 있는 폐슬러리에 비중 분리액을 혼합하는 혼합 단계와;비중 분리액 혼합된 폐슬러리를 교반하는 교반 단계와;상기 교반된 폐슬러리에서 적어도 절삭재, 미분 상태의 실리콘 및 비중 분리액이 서로 다른 비중 차에 의해 층 분리된 후 상대적으로 큰 비중치를 가지는 절삭재가 제거되도록 원심분리하는 원심분리 단계와;상기 원심분리 단계에서 남아 있는 비중 분리액에서 미분 상태의 실리콘을 분리 추출하는 분리 추출단계;를 포함함을 특징으로 하는 폐슬러리 재생방법.